Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBFJ111
MMBFJ111

MMBFJ111 ON Semiconductor

mmbfj113-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ111 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBFJ111 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBFJ111 за ціною від 3.73 грн до 39.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ111 MMBFJ111 Виробник : onsemi MMBFJ113-D.PDF Description: JFET N-CH 35V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.11 грн
6000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 Виробник : ON Semiconductor mmbfj113-d.pdf Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 Виробник : ONSEMI J111.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.25 грн
20+21.82 грн
50+15.11 грн
100+12.92 грн
500+9.32 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 Виробник : onsemi MMBFJ113-D.PDF JFETs N-Channel Switch
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.74 грн
15+22.85 грн
100+10.25 грн
500+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 Виробник : onsemi MMBFJ113-D.PDF Description: JFET N-CH 35V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 50872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.22 грн
14+23.04 грн
100+14.65 грн
500+10.35 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ111 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.53 грн
50+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ111 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 Виробник : Fairchild MMBFJ113-D.PDF N-JFET 50mA 35V 350mW (=PMBFJ111) MMBFJ111 TMMBFJ111
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 Виробник : Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ113-D.PDF N-канальний ПТ; Udss, В = 35; Id = 50 мА; Rds = 30 Ом; Ugs(th) = 3 В @ 1 мкА; Р, Вт = 0,36; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111
Код товару: 184622
Додати до обраних Обраний товар

MMBFJ113-D.PDF Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 Виробник : ON Semiconductor mmbfj113-d.pdf Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.