Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > MMBFJ111

MMBFJ111

MMBFJ113-D.PDF
Код товару: 184622
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBFJ111 за ціною від 3.74 грн до 38.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBFJ111 MMBFJ111 onsemi MMBFJ113-D.PDF Description: JFET N-CH 35V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
6000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ111 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.21 грн
500+8.95 грн
1500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 ONSEMI J111.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.61 грн
16+26.53 грн
19+22.30 грн
50+14.43 грн
100+12.19 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ111 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.57 грн
50+21.86 грн
100+12.21 грн
500+8.95 грн
1500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 onsemi MMBFJ113-D.PDF Description: JFET N-CH 35V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 50872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
14+22.76 грн
100+14.48 грн
500+10.22 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 onsemi MMBFJ113-D.PDF JFETs N-Channel Switch
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 Fairchild MMBFJ113-D.PDF N-JFET 50mA 35V 350mW (=PMBFJ111) MMBFJ111 TMMBFJ111
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ201_Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 35, Id = 50 мА, Rds = 30 Ом, Ugs(th) = 3 В @ 1 мкА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ113-D.PDF
MMBFJ111
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.02 грн
6000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ111
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ111 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.21 грн
500+8.95 грн
1500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 J111.pdf
MMBFJ111
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.61 грн
16+26.53 грн
19+22.30 грн
50+14.43 грн
100+12.19 грн
500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ111
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ111 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+38.57 грн
50+21.86 грн
100+12.21 грн
500+8.95 грн
1500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ113-D.PDF
MMBFJ111
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 50872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.75 грн
14+22.76 грн
100+14.48 грн
500+10.22 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ113-D.PDF
MMBFJ111
Виробник: onsemi
JFETs N-Channel Switch
на замовлення 16151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ113-D.PDF
Виробник: Fairchild
N-JFET 50mA 35V 350mW (=PMBFJ111) MMBFJ111 TMMBFJ111
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ201_Fairchild.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 35, Id = 50 мА, Rds = 30 Ом, Ugs(th) = 3 В @ 1 мкА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.