
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ176 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ176 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -25 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -25mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -2mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBFJ176 за ціною від 7.81 грн до 49.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 250 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -25mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -25mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 250Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 250 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V |
на замовлення 85716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 250Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 12707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |