Технічний опис MMBFJ271 ON Semiconductor
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: P-Channel, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Power - Max: 225 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 15 V.
Інші пропозиції MMBFJ271
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ271 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Power - Max: 225 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MMBFJ271 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Power - Max: 225 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MMBFJ271 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |