Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT2222ALT1G (ON) біполярний транзистор NPN
MMBT2222ALT1G (ON) біполярний транзистор NPN

MMBT2222ALT1G (ON) біполярний транзистор NPN

Код товару: 35896
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Монтаж: SMD
у наявності: 5870 шт
  • 5765 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT2222ALT1G (ON) біполярний транзистор NPN за ціною від 0.96 грн до 33.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.96 грн
6000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2052000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.26 грн
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2052000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6250+2.26 грн
7247+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4399+3.21 грн
12000+1.44 грн
27000+1.40 грн
51000+1.32 грн
102000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 4399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4033+3.50 грн
4630+3.05 грн
4935+2.86 грн
6000+2.57 грн
15000+2.21 грн
30000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 4033 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 63998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
69+6.18 грн
99+4.30 грн
116+3.67 грн
500+2.53 грн
1000+2.16 грн
3000+1.68 грн
6000+1.43 грн
9000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.29 грн
52+5.94 грн
100+3.65 грн
500+2.47 грн
1000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.91 грн
99+7.66 грн
100+7.59 грн
157+4.64 грн
250+4.26 грн
500+3.00 грн
1000+2.61 грн
3000+2.45 грн
6000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 1243161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 159996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 159996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 2353900.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
10+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.96 грн
6000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2052000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.26 грн
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2052000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6250+2.26 грн
7247+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4399+3.21 грн
12000+1.44 грн
27000+1.40 грн
51000+1.32 грн
102000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 4399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4033+3.50 грн
4630+3.05 грн
4935+2.86 грн
6000+2.57 грн
15000+2.21 грн
30000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 4033 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222.PDF
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 63998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
69+6.18 грн
99+4.30 грн
116+3.67 грн
500+2.53 грн
1000+2.16 грн
3000+1.68 грн
6000+1.43 грн
9000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.29 грн
52+5.94 грн
100+3.65 грн
500+2.47 грн
1000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+11.91 грн
99+7.66 грн
100+7.59 грн
157+4.64 грн
250+4.26 грн
500+3.00 грн
1000+2.61 грн
3000+2.45 грн
6000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 1243161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G 4078632.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 159996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G 4078632.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 159996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G 2353900.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMBT2907ALT1G
Код товару: 25960
2 Додати до обраних Обраний товар
MMBT2907ALT1-D.PDF
MMBT2907ALT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
у наявності: 5072 шт
  • 4917 шт - склад
  • 155 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
на замовлення: 150 шт
  • 150 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT2907A
Код товару: 22304
2 Додати до обраних Обраний товар
description PMBT2907, A.pdf
PMBT2907A
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 100
у наявності: 3000 шт
  • 3000 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 176822
22 Додати до обраних Обраний товар
1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 37976 шт
  • 29047 шт - склад
  • 882 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2865 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 945 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4237 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
  • 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
27+0.76 грн
100+0.60 грн
1000+0.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 25V EHR 8x12mm (EHR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 6823
3 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
220uF 25V EHR 8x12mm (EHR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 254 шт
  • 60 шт - склад
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 69 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 15.12.2026
на замовлення: 150 шт
  • 150 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.20 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Код товару: 48855
10 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 38563 шт
  • 38058 шт - склад
  • 208 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 297 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.