MMBT2222ALT1G (ON) біполярний транзистор NPN
Код товару: 35896
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Монтаж: SMD
у наявності: 630 шт
- 434 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 90 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни MMBT2222ALT1G (ON) біполярний транзистор NPN ON
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2222A Код товару: 160580
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Yangjie |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: SOT-23 Гранична частота fT: 300 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В Струм колектора Ic, А: 0,6 А Коефіцієнт передачі струму h21: 300 Монтаж: SMD |
у наявності: 592 шт
|
|
| MMBT2222A Код товару: 160580
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 592 шт
- 443 шт - склад
- 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 137 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 11+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |
Інші пропозиції MMBT2222ALT1G (ON) біполярний транзистор NPN за ціною від 0.81 грн до 33.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 5861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1272000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 64648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
на замовлення 82893 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 5861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 64648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V |
на замовлення 1136193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 538510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 538510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | ON SEMICONDUCTOR |
Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G |
|
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 931+ | 0.81 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 38360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17442+ | 0.81 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.90 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.21 грн |
| 6000+ | 1.96 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6383+ | 2.21 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1272000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.25 грн |
| 6000+ | 1.99 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4793+ | 2.94 грн |
| 12000+ | 1.44 грн |
| 27000+ | 1.40 грн |
| 51000+ | 1.32 грн |
| 102000+ | 1.19 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 64648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 3.53 грн |
| 4588+ | 3.08 грн |
| 4919+ | 2.87 грн |
| 6000+ | 2.56 грн |
| 15000+ | 2.18 грн |
| 30000+ | 1.91 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 82893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.91 грн |
| 69+ | 6.11 грн |
| 101+ | 4.17 грн |
| 119+ | 3.53 грн |
| 500+ | 2.43 грн |
| 1000+ | 2.08 грн |
| 3000+ | 1.63 грн |
| 6000+ | 1.41 грн |
| 9000+ | 1.31 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 10.17 грн |
| 50+ | 6.10 грн |
| 100+ | 3.74 грн |
| 500+ | 2.54 грн |
| 1000+ | 2.22 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 64648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 11.91 грн |
| 98+ | 7.70 грн |
| 99+ | 7.63 грн |
| 156+ | 4.68 грн |
| 250+ | 4.28 грн |
| 500+ | 3.02 грн |
| 1000+ | 2.64 грн |
| 3000+ | 2.46 грн |
| 6000+ | 2.27 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 1136193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 538510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 538510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.96 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.75 грн |
З цим товаром купують
| MMBT2907ALT1G Код товару: 25960
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
у наявності: 5721 шт
- 5560 шт - склад
- 161 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 150 шт
- 150 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| PMBT2907A Код товару: 22304
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 100
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 100
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung) Код товару: 48855
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 57297 шт
- 56428 шт - склад
- 432 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 437 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
19
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 54901 шт
- 49021 шт - склад
- 638 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3669 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1446 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 127 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
- 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| LD1117S50TR Код товару: 4565
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 15 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 0,8 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,1 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 15 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 0,8 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,1 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...150°С
Монтаж: SMD
у наявності: 2097 шт
- 1954 шт - склад
- 93 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
- 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |












