MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN
Код товару: 35896
Виробник: ONКорпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: SMD
у наявності 3089 шт:
2911 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN ON
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2222A Код товару: 160580
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Yangjie |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,6 A h21: 300 Монтаж: SMD |
у наявності: 5223 шт
4848 шт - склад
85 шт - РАДІОМАГ-Київ 30 шт - РАДІОМАГ-Львів 260 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN за ціною від 0.66 грн до 20.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 606000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1218000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1218000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 675965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 405000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 656499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
на замовлення 12860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 675965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12860 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 656499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V |
на замовлення 1642743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G |
|
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
| MMBT2222ALT1G | Виробник : On Semiconductor |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
З цим товаром купують
| MMBT2907ALT1G Код товару: 25960
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності: 1201 шт
1128 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung) Код товару: 48855
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 27553 шт
14784 шт - склад
2779 шт - РАДІОМАГ-Київ
3980 шт - РАДІОМАГ-Львів
3390 шт - РАДІОМАГ-Харків
2620 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2779 шт - РАДІОМАГ-Київ
3980 шт - РАДІОМАГ-Львів
3390 шт - РАДІОМАГ-Харків
2620 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| LD1117S50TR Код товару: 4565
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,8 A
Udrop, V: 1,1 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,8 A
Udrop, V: 1,1 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 2497 шт
2497 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano) Код товару: 13787
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 22225 шт
17555 шт - склад
3360 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
600 шт - РАДІОМАГ-Харків
660 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3360 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
600 шт - РАДІОМАГ-Харків
660 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17832
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 1090 шт
1090 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 08.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.22 грн |
| 1000+ | 0.16 грн |
| 10000+ | 0.13 грн |










