Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN
MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN

MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN

Код товару: 35896
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: SMD
у наявності: 1465 шт
  • 1349 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN ON

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT2222A MMBT2222A
Код товару: 160580
1 Додати до обраних Обраний товар
Yangjie mmbt2222a-sot23.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 649 шт
  • 462 шт - склад
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 137 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.40 грн
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222A
Код товару: 160580
1 Додати до обраних Обраний товар
mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 649 шт
  • 462 шт - склад
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 137 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.40 грн
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN за ціною від 0.83 грн до 33.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16854+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 16854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 81966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
6000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1395000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1395000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6383+2.22 грн
7178+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 6383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.66 грн
6000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4659+3.04 грн
12000+1.45 грн
27000+1.41 грн
51000+1.33 грн
102000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 4659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.87 грн
4179+3.39 грн
5577+2.54 грн
6250+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 83013 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
69+6.07 грн
101+4.14 грн
119+3.51 грн
500+2.41 грн
1000+2.06 грн
3000+1.62 грн
6000+1.40 грн
9000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 81966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.10 грн
51+5.91 грн
100+3.63 грн
500+2.46 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 1214622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.39 грн
51+6.27 грн
100+3.38 грн
500+2.42 грн
1000+2.14 грн
3000+1.59 грн
6000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 546200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.79 грн
124+6.53 грн
200+4.04 грн
500+2.74 грн
1500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 546200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.79 грн
124+6.53 грн
200+4.04 грн
500+2.74 грн
1500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.15 грн
89+8.58 грн
144+5.28 грн
500+3.73 грн
1000+3.03 грн
3000+2.18 грн
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
910+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16854+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 16854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 81966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.84 грн
6000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1395000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.22 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1395000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6383+2.22 грн
7178+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 6383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.66 грн
6000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4659+3.04 грн
12000+1.45 грн
27000+1.41 грн
51000+1.33 грн
102000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 4659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3668+3.87 грн
4179+3.39 грн
5577+2.54 грн
6250+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222.PDF
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 83013 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.84 грн
69+6.07 грн
101+4.14 грн
119+3.51 грн
500+2.41 грн
1000+2.06 грн
3000+1.62 грн
6000+1.40 грн
9000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 81966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.10 грн
51+5.91 грн
100+3.63 грн
500+2.46 грн
1000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 1214622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
32+10.39 грн
51+6.27 грн
100+3.38 грн
500+2.42 грн
1000+2.14 грн
3000+1.59 грн
6000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G 4078632.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 546200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+10.79 грн
124+6.53 грн
200+4.04 грн
500+2.74 грн
1500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G 4078632.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 546200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.79 грн
124+6.53 грн
200+4.04 грн
500+2.74 грн
1500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
54+14.15 грн
89+8.58 грн
144+5.28 грн
500+3.73 грн
1000+3.03 грн
3000+2.18 грн
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMBT2907ALT1G
Код товару: 25960
2 Додати до обраних Обраний товар
MMBT2907ALT1-D.PDF
MMBT2907ALT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності: 5771 шт
  • 5610 шт - склад
  • 161 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT2907A
Код товару: 22304
2 Додати до обраних Обраний товар
description PMBT2907, A.pdf
PMBT2907A
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 100
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LD1117S50TR
Код товару: 4565
3 Додати до обраних Обраний товар
datasheetLD1117S50TR.pdf
LD1117S50TR
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,8 A
Udrop, V: 1,1 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 2097 шт
  • 1954 шт - склад
  • 93 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
3+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-6K81R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39088
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-6K81R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,81 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 11201 шт
  • 5400 шт - склад
  • 1158 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2822 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1821 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Код товару: 48855
10 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 65882 шт
  • 64923 шт - склад
  • 492 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 467 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
30+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.