Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN
MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN

MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN


Код товару: 35896
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: SMD
у наявності 301 шт:

96 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 3000 шт:

3000 шт - очікується 14.09.2025
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.50 грн
100+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN ON

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222A MMBT2222A
Код товару: 160580
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Yangjie mmbt2222a-sot23.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 5910 шт
5500 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.90 грн
100+1.40 грн
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN за ціною від 0.66 грн до 20.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1053+0.66 грн
Мінімальне замовлення: 1053
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
520+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 520
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 606000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 576000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.10 грн
6000+1.09 грн
9000+1.08 грн
24000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1011000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.13 грн
6000+1.12 грн
24000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10792+1.13 грн
10870+1.12 грн
11030+1.10 грн
24000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 10792
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI 2353900.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.87 грн
9000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.97 грн
6000+1.68 грн
9000+1.57 грн
15000+1.36 грн
21000+1.29 грн
30000+1.23 грн
75000+1.06 грн
150000+0.98 грн
300000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4967+2.44 грн
12000+1.47 грн
27000+1.44 грн
51000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 4967
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4311+2.82 грн
5137+2.36 грн
5906+2.06 грн
6945+1.69 грн
15000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 554787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.87 грн
1000+2.38 грн
5000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 9181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.65 грн
122+3.24 грн
182+2.18 грн
500+1.71 грн
1000+1.55 грн
1226+0.76 грн
3377+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.18 грн
74+4.03 грн
109+2.62 грн
500+2.06 грн
1000+1.86 грн
1226+0.91 грн
3377+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 334531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.84 грн
53+6.00 грн
100+3.65 грн
500+2.48 грн
1000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+10.29 грн
102+6.82 грн
103+6.76 грн
163+4.12 грн
250+3.78 грн
500+2.61 грн
1000+2.30 грн
3000+1.02 грн
6000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : onsemi MMBT2222LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 1981342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.61 грн
53+6.62 грн
100+3.49 грн
500+2.50 грн
1000+2.20 грн
3000+1.52 грн
6000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 554787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.39 грн
119+7.18 грн
194+4.40 грн
500+2.87 грн
1000+2.38 грн
5000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G Виробник : ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G Виробник : On Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMBT2907ALT1G
Код товару: 25960
Додати до обраних Обраний товар

MMBT2907ALT1-D.PDF
MMBT2907ALT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності: 1347 шт
1255 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
10+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Код товару: 48855
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 51383 шт
40984 шт - склад
2969 шт - РАДІОМАГ-Київ
4000 шт - РАДІОМАГ-Львів
3430 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується
Кількість Ціна
20+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LD1117S50TR
Код товару: 4565
Додати до обраних Обраний товар

datasheetLD1117S50TR.pdf
LD1117S50TR
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,8 A
Udrop, V: 1,1 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 429 шт
279 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 32900 шт
26060 шт - склад
5000 шт - РАДІОМАГ-Київ
620 шт - РАДІОМАГ-Львів
860 шт - РАДІОМАГ-Харків
360 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 17832
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 7290 шт
3790 шт - РАДІОМАГ-Київ
3500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 30.12.2025
Кількість Ціна
100+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.