Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN
MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN

MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN

Код товару: 35896
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: SMD
у наявності 2166 шт:
2086 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
25+2.00 грн
34+1.50 грн
100+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN ON

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222A MMBT2222A
Код товару: 160580
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Yangjie mmbt2222a-sot23.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 1920 шт
1703 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
193 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+2.50 грн
27+1.90 грн
100+1.40 грн
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN за ціною від 0.72 грн до 20.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
520+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 520
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 606000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 813000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10417+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 10417
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 813000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7813+1.67 грн
12000+1.51 грн
27000+1.49 грн
51000+1.40 грн
102000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 7813
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI 2353900.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.78 грн
9000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 771320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.86 грн
6000+1.59 грн
9000+1.49 грн
15000+1.29 грн
21000+1.22 грн
30000+1.16 грн
75000+1.01 грн
150000+0.92 грн
300000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 625038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.47 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 37110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.95 грн
73+5.74 грн
123+3.39 грн
500+2.30 грн
1000+1.94 грн
3000+1.48 грн
9000+1.12 грн
24000+0.86 грн
30000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 771324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.32 грн
54+5.61 грн
100+3.45 грн
500+2.34 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 961971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.67 грн
53+6.04 грн
100+3.18 грн
500+2.28 грн
1000+2.00 грн
3000+1.59 грн
6000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.74 грн
44+7.15 грн
100+4.07 грн
500+2.76 грн
1000+2.33 грн
3000+1.78 грн
9000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+11.14 грн
102+7.37 грн
103+7.30 грн
164+4.42 грн
250+4.05 грн
500+2.82 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.16 грн
79+9.52 грн
131+5.74 грн
500+3.96 грн
1000+3.28 грн
3000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G Виробник : ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G Виробник : ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 625038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+9.83 грн
131+6.16 грн
217+3.71 грн
500+2.47 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G Виробник : ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G Виробник : On Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMBT2907ALT1G
Код товару: 25960
Додати до обраних Обраний товар

MMBT2907ALT1-D.PDF
MMBT2907ALT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
товару немає в наявності
очікується: 6000 шт
6000 шт - очікується
Кількість Ціна
34+1.50 грн
50+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Код товару: 48855
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 93814 шт
90670 шт - склад
1127 шт - РАДІОМАГ-Київ
617 шт - РАДІОМАГ-Львів
1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
60+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
LD1117S50TR
Код товару: 4565
Додати до обраних Обраний товар

datasheetLD1117S50TR.pdf
LD1117S50TR
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,8 A
Udrop, V: 1,1 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…150°C
у наявності: 2307 шт
2307 шт - склад
Кількість Ціна
6+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-6K81R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39088
Додати до обраних Обраний товар

RC0603HIT.pdf
6,81 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-6K81R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,81 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 11301 шт
5400 шт - склад
1258 шт - РАДІОМАГ-Київ
2822 шт - РАДІОМАГ-Харків
1821 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
300+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Код товару: 52241
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 2091 шт
821 шт - склад
880 шт - РАДІОМАГ-Київ
390 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
10+5.60 грн
100+5.00 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.