MMBT2369ALT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2369ALT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT2369ALT1G за ціною від 1.58 грн до 19.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : On Semiconductor |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 40...120 Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 4497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2369ALT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN |
на замовлення 13808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MMBT2369ALT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBT2369ALT1G-- |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |