Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2369ALT1G
MMBT2369ALT1G

MMBT2369ALT1G ON Semiconductor

mmbt2369lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2369ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT2369ALT1G за ціною від 1.47 грн до 15.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.96 грн
1500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
59+6.95 грн
86+4.71 грн
103+3.96 грн
500+2.73 грн
1000+2.35 грн
1500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.54 грн
35+8.67 грн
52+5.65 грн
100+4.76 грн
500+3.27 грн
1000+2.82 грн
1500+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1573+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 1573
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.44 грн
41+7.93 грн
100+4.87 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : onsemi MMBT2369LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
на замовлення 17620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.04 грн
49+7.41 грн
100+4.58 грн
500+3.34 грн
1000+2.87 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.37 грн
84+8.53 грн
89+7.99 грн
116+5.91 грн
250+5.10 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+15.33 грн
107+8.19 грн
148+5.89 грн
500+3.96 грн
1500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2369lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G--
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G Виробник : On Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf
на замовлення 38 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.