MMBT2369ALT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2369ALT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT2369ALT1G за ціною від 1.61 грн до 19.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2369ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | On Semiconductor |
Транзистори |
на замовлення 38 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 400nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN |
на замовлення 42683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 288 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MMBT2369ALT1G | ON-Semiconductor |
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369aкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MMBT2369ALT1G-- |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4732+ | 2.99 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4465+ | 3.17 грн |
| 9000+ | 3.02 грн |
| 27000+ | 2.87 грн |
| 51000+ | 2.71 грн |
| 102000+ | 2.47 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.53 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
Транзистори
Транзистори
на замовлення 38 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.77 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1386+ | 10.21 грн |
| 2273+ | 6.22 грн |
| 3068+ | 4.61 грн |
| 3481+ | 3.92 грн |
| 5034+ | 2.51 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 10.71 грн |
| 53+ | 7.88 грн |
| 78+ | 5.37 грн |
| 100+ | 4.49 грн |
| 500+ | 3.02 грн |
| 1000+ | 2.59 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.40 грн |
| 41+ | 7.31 грн |
| 100+ | 4.49 грн |
| 500+ | 3.07 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
на замовлення 42683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.82 грн |
| 39+ | 8.16 грн |
| 100+ | 4.41 грн |
| 500+ | 3.17 грн |
| 1000+ | 2.82 грн |
| 3000+ | 2.14 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 16.93 грн |
| 71+ | 10.65 грн |
| 72+ | 10.54 грн |
| 115+ | 6.36 грн |
| 250+ | 5.51 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 19.61 грн |
| 72+ | 11.17 грн |
| 118+ | 6.81 грн |
| 500+ | 4.51 грн |
| 1500+ | 3.70 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
кількість в упаковці: 500 шт
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.61 грн |







