Продукція > ONSEMI > MMBT2369ALT1G
MMBT2369ALT1G

MMBT2369ALT1G onsemi

mmbt2369lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.51 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2369ALT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2369ALT1G за ціною від 2.12 грн до 20.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4673+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 4673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+3.16 грн
9000+3.01 грн
27000+2.86 грн
51000+2.70 грн
102000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+10.93 грн
114+6.62 грн
500+4.90 грн
1000+4.15 грн
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1291+10.93 грн
2131+6.62 грн
2880+4.90 грн
3283+4.15 грн
5000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 1291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 40...120
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.2A
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.62 грн
46+9.20 грн
53+7.95 грн
78+5.42 грн
100+4.61 грн
500+3.22 грн
1000+2.79 грн
1500+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.30 грн
39+7.91 грн
100+4.87 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1573+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 1573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.40 грн
67+11.29 грн
71+10.63 грн
109+6.70 грн
250+5.80 грн
500+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G On Semiconductor MMBT2369LT1-D.pdf Транзистори
на замовлення 38 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
38+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
на замовлення 42683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G ON-Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G--
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4673+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 4673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4465+3.16 грн
9000+3.01 грн
27000+2.86 грн
51000+2.70 грн
102000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+10.93 грн
114+6.62 грн
500+4.90 грн
1000+4.15 грн
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1291+10.93 грн
2131+6.62 грн
2880+4.90 грн
3283+4.15 грн
5000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 1291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 40...120
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.2A
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.62 грн
46+9.20 грн
53+7.95 грн
78+5.42 грн
100+4.61 грн
500+3.22 грн
1000+2.79 грн
1500+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.30 грн
39+7.91 грн
100+4.87 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1573+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 1573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+17.40 грн
67+11.29 грн
71+10.63 грн
109+6.70 грн
250+5.80 грн
500+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G MMBT2369LT1-D.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: On Semiconductor
Транзистори
на замовлення 38 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN
на замовлення 42683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2369ALT1G TMMBT2369a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2369ALT1G--
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.