MMBT5179 onsemi
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.28 грн |
| 6000+ | 2.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5179 onsemi
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50mA, Übergangsfrequenz: 2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT5179 за ціною від 2.23 грн до 20.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
на замовлення 81268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5179 | onsemi |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor |
на замовлення 24270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50mA Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBT5179 | ONS/FAI |
NPN, SOT-23 Транзистори |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MMBT5179 | NATIONAL |
|
на замовлення 1650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 2.70 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 2.70 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.79 грн |
| 6000+ | 2.75 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5051+ | 2.79 грн |
| 6000+ | 2.75 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.94 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9616+ | 3.67 грн |
| 10792+ | 3.27 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3760+ | 3.75 грн |
| 6000+ | 3.74 грн |
| 12000+ | 3.72 грн |
| 27000+ | 3.56 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3641+ | 3.88 грн |
| 3907+ | 3.61 грн |
| 4214+ | 3.35 грн |
| 4560+ | 2.98 грн |
| 4984+ | 2.53 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 162+ | 4.65 грн |
| 172+ | 4.39 грн |
| 183+ | 4.13 грн |
| 195+ | 3.74 грн |
| 250+ | 3.23 грн |
| 500+ | 2.87 грн |
| 1000+ | 2.65 грн |
| 3000+ | 2.43 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 81268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 7.04 грн |
| 75+ | 4.07 грн |
| 85+ | 3.55 грн |
| 101+ | 2.81 грн |
| 250+ | 2.55 грн |
| 500+ | 2.39 грн |
| 1000+ | 2.23 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
на замовлення 24270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50mA
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50mA
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





