MMBT5179 onsemi
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.24 грн |
| 6000+ | 2.08 грн |
| 9000+ | 2.04 грн |
| 15000+ | 1.87 грн |
| 21000+ | 1.85 грн |
| 30000+ | 1.83 грн |
| 75000+ | 1.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5179 onsemi
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50mA, Übergangsfrequenz: 2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT5179 за ціною від 2.15 грн до 19.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5179 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5179 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5179 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50mA Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5179 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5179 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5179 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5179 | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
на замовлення 131684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5179 | Виробник : onsemi |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor |
на замовлення 20861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5179 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5179 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT5179 | Виробник : ONS/FAI |
NPN, SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT5179 | Виробник : NATIONAL |
|
на замовлення 1650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBT5179 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |