MMBT5179 onsemi
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5179 onsemi
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50mA, Übergangsfrequenz: 2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT5179 за ціною від 2.20 грн до 20.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT5179 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50mA Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | onsemi |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor |
на замовлення 20861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
на замовлення 81268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5179 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MMBT5179 | ONS/FAI |
NPN, SOT-23 Транзистори |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT5179 | NATIONAL |
|
на замовлення 1650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50mA
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50mA
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.78 грн |
| 1500+ | 2.44 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.80 грн |
| 6000+ | 2.78 грн |
| 9000+ | 2.65 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5051+ | 2.80 грн |
| 6000+ | 2.78 грн |
| 9000+ | 2.65 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.94 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4298+ | 3.29 грн |
| 4348+ | 3.25 грн |
| 4492+ | 3.15 грн |
| 4644+ | 2.94 грн |
| 4808+ | 2.63 грн |
| 6000+ | 2.43 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9616+ | 3.68 грн |
| 10792+ | 3.28 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
на замовлення 20861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 47+ | 6.91 грн |
| 86+ | 3.72 грн |
| 112+ | 2.48 грн |
| 500+ | 2.34 грн |
| 1000+ | 2.20 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 81268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 6.97 грн |
| 75+ | 4.03 грн |
| 85+ | 3.52 грн |
| 101+ | 2.79 грн |
| 250+ | 2.52 грн |
| 500+ | 2.37 грн |
| 1000+ | 2.21 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 7.52 грн |
| 163+ | 4.65 грн |
| 164+ | 4.60 грн |
| 230+ | 3.17 грн |
| 250+ | 2.90 грн |
| 500+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.61 грн |
| 3000+ | 2.52 грн |
| 6000+ | 2.43 грн |
| MMBT5179 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 7.70 грн |
| 190+ | 4.24 грн |
| 249+ | 3.23 грн |
| 500+ | 2.78 грн |
| 1500+ | 2.44 грн |





