MMBT5401LT1G ON
Код товару: 34131
Виробник: ONКорпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 240
у наявності 215 шт:
215 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
15+ | 1.4 грн |
100+ | 1.1 грн |
1000+ | 0.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни MMBT5401LT1G ON
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT5401 Код товару: 160586 |
Виробник : Yangjie |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uке, В: 160 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 0,6 A h21,max: 300 |
у наявності: 2367 шт
2367 шт - склад
|
|
Інші пропозиції MMBT5401LT1G за ціною від 1.17 грн до 14.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 49605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V |
на замовлення 42503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : On Semiconductor | PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz |
товар відсутній |
З цим товаром купують
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3112 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 9441 шт
8338 шт - склад
252 шт - РАДІОМАГ-Київ
319 шт - РАДІОМАГ-Львів
334 шт - РАДІОМАГ-Харків
118 шт - РАДІОМАГ-Одеса
80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
252 шт - РАДІОМАГ-Київ
319 шт - РАДІОМАГ-Львів
334 шт - РАДІОМАГ-Харків
118 шт - РАДІОМАГ-Одеса
80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
17+ | 1.2 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.6 грн |
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2430 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 3673 шт
3153 шт - склад
224 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Одеса
137 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
224 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Одеса
137 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
200 шт
200 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 2.5 грн |
11+ | 1.9 грн |
100+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.2 грн |
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2428 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 6941 шт
6564 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
75 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Харків
94 шт - РАДІОМАГ-Одеса
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
75 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Харків
94 шт - РАДІОМАГ-Одеса
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 3 грн |
10+ | 2.6 грн |
100+ | 2.2 грн |
1000+ | 1.9 грн |
ULN2003D (SO-16, ST – ULN2003D1013TR) Код товару: 2351 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Транзисторні збірки
Корпус: SO-16
Опис: Збірка 7 Дарлінгтона, 30V, 500mA
Монтаж: SMD
Рабочая температура, °С: -20...85°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
Мікросхеми > Транзисторні збірки
Корпус: SO-16
Опис: Збірка 7 Дарлінгтона, 30V, 500mA
Монтаж: SMD
Рабочая температура, °С: -20...85°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
у наявності: 2 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 10 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
BC847C (транзистор біполярний NPN) Код товару: 1253 |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 800
Монтаж: SMD
у наявності: 8837 шт
4659 шт - склад
226 шт - РАДІОМАГ-Київ
3457 шт - РАДІОМАГ-Львів
400 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Одеса
226 шт - РАДІОМАГ-Київ
3457 шт - РАДІОМАГ-Львів
400 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 1.5 грн |
23+ | 0.9 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |
10000+ | 0.5 грн |