MMBT5401LT1G ON Semiconductor
на замовлення 2703000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11195+ | 1.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5401LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT5401LT1G за ціною від 0.80 грн до 40.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2703000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 64187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 50284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 9926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G Код товару: 34131
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uке, В: 150 V Uкб, В: 160 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 240 |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9926 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 114062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V |
на замовлення 58132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 50284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 64187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 728 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT5401LT1G | Виробник : On Semiconductor |
PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 3810 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |





