Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5551 (біполярний транзистор NPN) Fairchild
MMBT5551 (біполярний транзистор NPN)

MMBT5551 (біполярний транзистор NPN) Fairchild

MMBT5551.pdf
Код товару: 4153
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
на замовлення: 150 шт
  • 150 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни MMBT5551 (біполярний транзистор NPN) Fairchild

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 919 шт
  • 737 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 148 шт
  • 148 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
MMBT5551
Виробник: Jingdao
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 919 шт
  • 737 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 148 шт
  • 148 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT5551 (біполярний транзистор NPN) за ціною від 0.44 грн до 10.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551 FUXINSEMI mmbt5551.pdf Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 14995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH TMMBT5551_CJ_CJ.pdf 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 HOTTECH mmbt5551.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 AnBon mmbt5551.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 MDD(Microdiode Electronics) TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
6000+1.74 грн
9000+1.63 грн
15000+1.41 грн
21000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5906+2.39 грн
6000+2.38 грн
9000+1.81 грн
15000+1.74 грн
21000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 5906 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+2.39 грн
9000+1.82 грн
15000+1.75 грн
21000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.49 грн
4984+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
на замовлення 221935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
77+5.39 грн
128+3.25 грн
500+2.12 грн
1000+1.88 грн
3000+1.58 грн
6000+1.43 грн
9000+1.35 грн
21000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 22588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
49+6.12 грн
100+3.78 грн
500+2.57 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 HT Jinyu Semiconductor mmbt5551.pdf NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10639+1.33 грн
60000+1.15 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Microdiode Electronics (MDD) mmbt5551.pdf Transistor Diode
на замовлення 4611000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10345+1.37 грн
2304000+1.25 грн
3456000+1.17 грн
4608000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: FUXINSEMI
Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 14995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 TMMBT5551_CJ_CJ.pdf
MMBT5551
Виробник: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: HOTTECH
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: AnBon
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf
MMBT5551
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.04 грн
6000+1.74 грн
9000+1.63 грн
15000+1.41 грн
21000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5906+2.39 грн
6000+2.38 грн
9000+1.81 грн
15000+1.74 грн
21000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 5906 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.41 грн
6000+2.39 грн
9000+1.82 грн
15000+1.75 грн
21000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4055+3.49 грн
4984+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
MMBT5551
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
MMBT5551
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
на замовлення 221935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.14 грн
77+5.39 грн
128+3.25 грн
500+2.12 грн
1000+1.88 грн
3000+1.58 грн
6000+1.43 грн
9000+1.35 грн
21000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 22588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
49+6.12 грн
100+3.78 грн
500+2.57 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 4421943.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 4421943.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10639+1.33 грн
60000+1.15 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
Виробник: Microdiode Electronics (MDD)
Transistor Diode
на замовлення 4611000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10345+1.37 грн
2304000+1.25 грн
3456000+1.17 грн
4608000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.