Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5551 (біполярний транзистор NPN) Fairchild
MMBT5551 (біполярний транзистор NPN)

MMBT5551 (біполярний транзистор NPN) Fairchild

MMBT5551.pdf
Код товару: 4153
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни MMBT5551 (біполярний транзистор NPN) Fairchild

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 1934 шт
  • 1752 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Харків
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
MMBT5551
Виробник: Jingdao
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 1934 шт
  • 1752 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT5551 (біполярний транзистор NPN) за ціною від 0.41 грн до 3830.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551 GOODWORK GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 FUXINSEMI 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH TMMBT5551_CJ_CJ.pdf 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 MDD(Microdiode Electronics) TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.95 грн
6000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.30 грн
6000+1.10 грн
9000+1.03 грн
15000+0.89 грн
21000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Good-Ark Semiconductor GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.54 грн
6000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
6000+1.74 грн
9000+1.63 грн
15000+1.41 грн
21000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5906+2.39 грн
6000+2.38 грн
9000+1.81 грн
15000+1.74 грн
21000+1.59 грн
30000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 5906 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+2.39 грн
9000+1.82 грн
15000+1.75 грн
21000+1.60 грн
30000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5769+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 377408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5769+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.49 грн
4984+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_3.html Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.87 грн
130+2.31 грн
218+1.37 грн
500+0.90 грн
1000+0.77 грн
3000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.97 грн
75+4.03 грн
122+2.46 грн
500+1.66 грн
1000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.97 грн
100+2.98 грн
164+1.83 грн
500+1.22 грн
1000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 10993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
77+5.39 грн
128+3.25 грн
500+2.12 грн
1000+1.88 грн
3000+1.58 грн
6000+1.43 грн
9000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Good-Ark Semiconductor GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.52 грн
64+4.70 грн
104+2.89 грн
500+1.96 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.52 грн
59+5.07 грн
100+3.15 грн
500+2.13 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 23668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
49+6.12 грн
100+3.78 грн
500+2.57 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3830.68 грн
100+3074.04 грн
1000+2459.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10639+1.33 грн
60000+1.15 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Microdiode Electronics (MDD) 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor Diode
на замовлення 4611000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10345+1.37 грн
2304000+1.25 грн
3456000+1.17 грн
4608000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
MMBT5551
Виробник: GOODWORK
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: FUXINSEMI
Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 TMMBT5551_CJ_CJ.pdf
MMBT5551
Виробник: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: HOTTECH
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: AnBon
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf
MMBT5551
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551%20SOT-23.pdf
MMBT5551
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.95 грн
6000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT555x.pdf
MMBT5551
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.30 грн
6000+1.10 грн
9000+1.03 грн
15000+0.89 грн
21000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
MMBT5551
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.54 грн
6000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.04 грн
6000+1.74 грн
9000+1.63 грн
15000+1.41 грн
21000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5906+2.39 грн
6000+2.38 грн
9000+1.81 грн
15000+1.74 грн
21000+1.59 грн
30000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 5906 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.41 грн
6000+2.39 грн
9000+1.82 грн
15000+1.75 грн
21000+1.60 грн
30000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBT5551
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5769+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf
MMBT5551
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 377408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5769+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4055+3.49 грн
4984+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1
MMBT5551
Виробник: MDD
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+3.87 грн
130+2.31 грн
218+1.37 грн
500+0.90 грн
1000+0.77 грн
3000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
MMBT5551
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
MMBT5551
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8696+4.06 грн
10000+3.63 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT555x.pdf
MMBT5551
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.97 грн
75+4.03 грн
122+2.46 грн
500+1.66 грн
1000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551%20SOT-23.pdf
MMBT5551
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.97 грн
100+2.98 грн
164+1.83 грн
500+1.22 грн
1000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 10993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.14 грн
77+5.39 грн
128+3.25 грн
500+2.12 грн
1000+1.88 грн
3000+1.58 грн
6000+1.43 грн
9000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
MMBT5551
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.52 грн
64+4.70 грн
104+2.89 грн
500+1.96 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 5272_MMBT5551.pdf
MMBT5551
Виробник: EVVO
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.52 грн
59+5.07 грн
100+3.15 грн
500+2.13 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 mmbt5551.pdf
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 23668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.07 грн
49+6.12 грн
100+3.78 грн
500+2.57 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551%20Rev-0.pdf
MMBT5551
Виробник: HY Electronic (Cayman) Limited
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3830.68 грн
100+3074.04 грн
1000+2459.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
MMBT5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 4421943.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 4421943.pdf
MMBT5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10639+1.33 грн
60000+1.15 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
Виробник: Microdiode Electronics (MDD)
Transistor Diode
на замовлення 4611000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10345+1.37 грн
2304000+1.25 грн
3456000+1.17 грн
4608000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.