Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5551 Jingdao
MMBT5551

MMBT5551 Jingdao

Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Код товару: 200829
Виробник: Jingdao
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності 3980 шт:
3274 шт - склад
127 шт - РАДІОМАГ-Київ
174 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
168 шт - РАДІОМАГ-Одеса
137 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
8+1.40 грн
13+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.45 грн до 10.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.65 грн
6000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 278623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7426+1.65 грн
9091+1.35 грн
9804+1.25 грн
10136+1.17 грн
33000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 7426
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.71 грн
6000+1.59 грн
15000+1.48 грн
21000+1.36 грн
30000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6667+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 6667
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 398408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6935+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 6935
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 206639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6935+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 6935
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 395408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8696+3.52 грн
10000+3.15 грн
100000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 8696
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
105+4.11 грн
218+1.83 грн
292+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.27 грн
1000+3.44 грн
5000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
63+4.93 грн
131+2.28 грн
186+1.55 грн
250+1.30 грн
500+1.18 грн
1000+1.09 грн
1150+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA5B5560E4BBD00D3&compId=mmbt5551.pdf?ci_sign=c2e7615175ee7e7c5268569fb306ff51f04062f6 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 278623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.75 грн
148+2.71 грн
173+2.31 грн
500+1.29 грн
1011+0.93 грн
2778+0.88 грн
33000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.28 грн
67+4.78 грн
109+2.95 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 15843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+8.84 грн
55+6.51 грн
100+4.74 грн
500+3.83 грн
1000+3.29 грн
3000+2.45 грн
9000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.11 грн
64+5.02 грн
104+3.09 грн
500+2.09 грн
1000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.11 грн
64+5.02 грн
104+3.09 грн
500+2.09 грн
1000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.19 грн
126+6.86 грн
149+5.77 грн
500+4.27 грн
1000+3.44 грн
5000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA5B5560E4BBD00D3&compId=mmbt5551.pdf?ci_sign=c2e7615175ee7e7c5268569fb306ff51f04062f6 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 278623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.30 грн
89+3.38 грн
104+2.77 грн
500+1.55 грн
1011+1.12 грн
2778+1.05 грн
33000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.93 грн
55+5.82 грн
100+3.57 грн
500+2.43 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : MDD(Microdiode Electronics) 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : Microdiode Electronics 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Transistor Diode
на замовлення 14505000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14151+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 14151
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : DIOTEC 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11279+1.09 грн
60000+0.93 грн
300000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 11279
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : ONS 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
112+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : FAIRCHILD 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 206639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8696+3.52 грн
10000+3.15 грн
100000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 8696
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 160587
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+1.00 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 (транзистор біполярний NPN) MMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 4153
Додати до обраних Обраний товар

MMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+1.30 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59D78BEC9FA60D6&compId=MMBT5551.pdf?ci_sign=50a0d98f423a691dc8ca6c9891779d7376e34e13 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : LITEON 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-3006661.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 Виробник : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59D78BEC9FA60D6&compId=MMBT5551.pdf?ci_sign=50a0d98f423a691dc8ca6c9891779d7376e34e13 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMBT5401
Код товару: 160586
Додати до обраних Обраний товар

mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності: 395 шт
258 шт - склад
66 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
10+1.20 грн
100+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148
Код товару: 2413
Додати до обраних Обраний товар

LL4148-D.PDF ll4148.pdf LL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 28541 шт
18988 шт - склад
2079 шт - РАДІОМАГ-Київ
1200 шт - РАДІОМАГ-Харків
1967 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4307 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+1.00 грн
20+0.50 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C5V1
Код товару: 4297
Додати до обраних Обраний товар

BZV55.pdf
BZV55-C5V1
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
у наявності: 3024 шт
2330 шт - склад
183 шт - РАДІОМАГ-Київ
119 шт - РАДІОМАГ-Львів
92 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
295 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
240 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-240KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4400
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_hitano-datasheet.pdf
240 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-240KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 240 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 4980 шт
2900 шт - склад
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
60 шт - РАДІОМАГ-Харків
1870 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.10 грн
1000+0.06 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
33 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-33KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4662
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_hitano-datasheet.pdf
33 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-33KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 33 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 16720 шт
12020 шт - склад
4700 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
100+0.10 грн
1000+0.06 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.