Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5551LT3G
MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G

mmbt5550lt1-d.pdf
Код товару: 107209
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни MMBT5551LT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 2149 шт
  • 1952 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 78 шт - РАДІОМАГ-Харків
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN) PMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 20409
Додати до обраних Обраний товар
NXP/Philips PMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 596 шт
  • 262 шт - склад
  • 139 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
MMBT5551
Виробник: Jingdao
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 2149 шт
  • 1952 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 78 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 20409
Додати до обраних Обраний товар
PMBT5551.pdf
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP/Philips
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 596 шт
  • 262 шт - склад
  • 139 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT5551LT3G за ціною від 0.93 грн до 11.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.88 грн
30000+2.18 грн
100000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4762+2.97 грн
6638+2.13 грн
8721+1.62 грн
8983+1.52 грн
9260+1.36 грн
15000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 4762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+7.64 грн
157+4.83 грн
158+4.78 грн
251+2.90 грн
254+2.65 грн
500+1.83 грн
1000+1.39 грн
3000+1.35 грн
6000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 16661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
47+6.57 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
2000+2.12 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 26702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.35 грн
47+6.97 грн
100+3.67 грн
500+2.68 грн
1000+2.11 грн
2500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15152+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+2.88 грн
30000+2.18 грн
100000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4762+2.97 грн
6638+2.13 грн
8721+1.62 грн
8983+1.52 грн
9260+1.36 грн
15000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 4762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
99+7.64 грн
157+4.83 грн
158+4.78 грн
251+2.90 грн
254+2.65 грн
500+1.83 грн
1000+1.39 грн
3000+1.35 грн
6000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 16661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.10 грн
47+6.57 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
2000+2.12 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 26702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.35 грн
47+6.97 грн
100+3.67 грн
500+2.68 грн
1000+2.11 грн
2500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.