Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5551LT3G
MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT3G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 225 mW.

Можливі заміни MMBT5551LT3G ON Semiconductor

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 200829
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 5100 шт
4394 шт - склад
127 шт - РАДІОМАГ-Київ
174 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
168 шт - РАДІОМАГ-Одеса
137 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
8+1.40 грн
13+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN) PMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 20409
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : NXP/Philips PMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 1421 шт
1142 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Одеса
106 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT5551LT3G за ціною від 1.15 грн до 11.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10639+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 10639
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3958+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3958
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+5.01 грн
152+4.00 грн
153+3.96 грн
211+2.77 грн
250+2.56 грн
500+1.90 грн
1000+1.51 грн
3000+1.31 грн
6000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.61 грн
49+6.52 грн
100+4.01 грн
500+2.72 грн
1000+2.39 грн
2000+2.11 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : onsemi MMBT5550LT1_D-1811686.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 27162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+11.89 грн
47+7.46 грн
100+3.92 грн
500+2.87 грн
1000+2.11 грн
2500+1.81 грн
5000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G
Код товару: 107209
Додати до обраних Обраний товар

mmbt5550lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L Виробник : onsemi Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.