MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G ON Semiconductor


mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT3G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 225 mW.

Можливі заміни MMBT5551LT3G ON Semiconductor

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 200829
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 2534 шт
2192 шт - склад
158 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
93 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
36+1.40 грн
63+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN) PMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 20409
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : NXP/Philips PMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 624 шт
312 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
34 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
78 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
17+3.00 грн
24+2.10 грн
100+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT5551LT3G за ціною від 0.90 грн до 11.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4262+2.97 грн
6000+2.11 грн
7773+1.63 грн
9317+1.31 грн
9434+1.20 грн
15000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 4262
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+8.10 грн
138+5.28 грн
222+3.27 грн
250+3.07 грн
500+2.02 грн
1000+1.50 грн
3000+1.25 грн
6000+1.23 грн
15000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.12 грн
50+6.59 грн
100+4.05 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
2000+2.13 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 21258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.90 грн
49+7.46 грн
100+4.03 грн
500+2.93 грн
1000+2.21 грн
5000+1.90 грн
10000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G
Код товару: 107209
Додати до обраних Обраний товар

mmbt5550lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L Виробник : onsemi Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.