Можливі заміни MMBT5551LT3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT5551 Код товару: 200829
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Jingdao |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 250 Монтаж: SMD |
у наявності: 2404 шт
2137 шт - склад
98 шт - РАДІОМАГ-Київ 91 шт - РАДІОМАГ-Львів 78 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||
|
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 20409
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP/Philips |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,3 A Монтаж: SMD |
у наявності: 596 шт
262 шт - склад
139 шт - РАДІОМАГ-Київ 32 шт - РАДІОМАГ-Львів 100 шт - РАДІОМАГ-Харків 63 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції MMBT5551LT3G за ціною від 0.92 грн до 11.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN |
на замовлення 34371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT5551L |
на замовлення 10667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||||
| MMBT5551LT3G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
MMBT5551LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| MMBT5551L | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V |
товару немає в наявності |





