Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5551LT3G
MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G

mmbt5550lt1-d.pdf
Код товару: 107209
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни MMBT5551LT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 164 шт
  • 37 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 6000 шт
  • 6000 шт - очікується 05.10.2026
на замовлення: 148 шт
  • 148 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551 (біполярний транзистор NPN) PMBT5551 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 20409
Додати до обраних Обраний товар
NXP/Philips PMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,3 А
Монтаж: SMD
у наявності: 571 шт
  • 242 шт - склад
  • 139 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 120 шт
  • 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
MMBT5551
Виробник: Jingdao
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 164 шт
  • 37 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 6000 шт
  • 6000 шт - очікується 05.10.2026
на замовлення: 148 шт
  • 148 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 20409
Додати до обраних Обраний товар
PMBT5551.pdf
PMBT5551 (біполярний транзистор NPN)
Виробник: NXP/Philips
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 160 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 180 В
Струм колектора Ic, А: 0,3 А
Монтаж: SMD
у наявності: 571 шт
  • 242 шт - склад
  • 139 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 120 шт
  • 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції MMBT5551LT3G за ціною від 0.95 грн до 13.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14852+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 14852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.53 грн
30000+2.45 грн
50000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2484+5.70 грн
3624+3.90 грн
4717+3.00 грн
5536+2.46 грн
6049+2.09 грн
15000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 2484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 19566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
2000+2.09 грн
5000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.93 грн
87+8.68 грн
88+8.63 грн
132+5.55 грн
250+5.08 грн
500+3.35 грн
1000+2.57 грн
3000+2.19 грн
6000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.59 грн
86+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 19085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14852+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 14852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.53 грн
30000+2.45 грн
50000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2484+5.70 грн
3624+3.90 грн
4717+3.00 грн
5536+2.46 грн
6049+2.09 грн
15000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 2484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 19566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
2000+2.09 грн
5000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+12.93 грн
87+8.68 грн
88+8.63 грн
132+5.55 грн
250+5.08 грн
500+3.35 грн
1000+2.57 грн
3000+2.19 грн
6000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+13.59 грн
86+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 19085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551L
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.