Продукція > MMB > MMBT8099LT1G

MMBT8099LT1G


mmbt8099lt1-d.pdf
Код товару: 95963
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT8099LT1G за ціною від 2.35 грн до 20.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 5748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4717+2.99 грн
6000+2.94 грн
12000+2.86 грн
27000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G onsemi mmbt8099lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.60 грн
6000+3.11 грн
9000+2.93 грн
15000+2.55 грн
21000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1859+7.59 грн
1878+7.52 грн
2397+5.89 грн
2693+5.05 грн
4951+2.55 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 1859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G onsemi mmbt8099lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.78 грн
29+10.42 грн
100+6.48 грн
500+4.45 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.68 грн
64+11.88 грн
69+11.02 грн
100+7.32 грн
250+6.71 грн
500+5.05 грн
1000+4.49 грн
3000+2.44 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G onsemi MMBT8099LT1_D-1811785.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 8687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ONSEMI 791597.pdf Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ONSEMI 791597.pdf Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5748+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 5748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4717+2.99 грн
6000+2.94 грн
12000+2.86 грн
27000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.60 грн
6000+3.11 грн
9000+2.93 грн
15000+2.55 грн
21000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1859+7.59 грн
1878+7.52 грн
2397+5.89 грн
2693+5.05 грн
4951+2.55 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 1859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.78 грн
29+10.42 грн
100+6.48 грн
500+4.45 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.68 грн
64+11.88 грн
69+11.02 грн
100+7.32 грн
250+6.71 грн
500+5.05 грн
1000+4.49 грн
3000+2.44 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1_D-1811785.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 8687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G 791597.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G 791597.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.