Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMBT8099LT1G за ціною від 2.35 грн до 20.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT8099LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 22961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN |
на замовлення 8687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT8099LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5748+ | 2.46 грн |
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.54 грн |
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4717+ | 2.99 грн |
| 6000+ | 2.94 грн |
| 12000+ | 2.86 грн |
| 27000+ | 2.70 грн |
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.60 грн |
| 6000+ | 3.11 грн |
| 9000+ | 2.93 грн |
| 15000+ | 2.55 грн |
| 21000+ | 2.44 грн |
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1859+ | 7.59 грн |
| 1878+ | 7.52 грн |
| 2397+ | 5.89 грн |
| 2693+ | 5.05 грн |
| 4951+ | 2.55 грн |
| 6000+ | 2.35 грн |
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.78 грн |
| 29+ | 10.42 грн |
| 100+ | 6.48 грн |
| 500+ | 4.45 грн |
| 1000+ | 3.93 грн |
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 20.68 грн |
| 64+ | 11.88 грн |
| 69+ | 11.02 грн |
| 100+ | 7.32 грн |
| 250+ | 6.71 грн |
| 500+ | 5.05 грн |
| 1000+ | 4.49 грн |
| 3000+ | 2.44 грн |
| 6000+ | 2.35 грн |
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 8687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT8099LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







