MMBT8099LT1G

MMBT8099LT1G ON Semiconductor


mmbt8099lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT8099LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT8099LT1G за ціною від 1.89 грн до 18.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5748+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 5748
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4717+2.58 грн
6000+2.53 грн
12000+2.47 грн
27000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 4717
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : ONSEMI 791597.pdf Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.67 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : onsemi mmbt8099lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.70 грн
6000+3.19 грн
9000+3.00 грн
15000+2.62 грн
21000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1859+6.55 грн
1878+6.48 грн
2397+5.08 грн
2693+4.36 грн
4951+2.20 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 1859
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : ONSEMI 791597.pdf Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.64 грн
127+6.50 грн
189+4.36 грн
500+3.67 грн
1500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : onsemi MMBT8099LT1_D-1811785.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 8687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.50 грн
35+9.79 грн
100+3.89 грн
1000+3.52 грн
3000+2.64 грн
9000+2.28 грн
24000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+16.56 грн
64+9.52 грн
69+8.82 грн
100+5.86 грн
250+5.38 грн
500+4.04 грн
1000+3.60 грн
3000+1.96 грн
6000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : onsemi mmbt8099lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 22961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
29+10.70 грн
100+6.65 грн
500+4.57 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G
Код товару: 95963
Додати до обраних Обраний товар

mmbt8099lt1-d.pdf
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.