MMBTA13 LGE


MMBTA13.pdf
Виробник: LGE
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 350mW; SOT23 MMBTA13-LGE MMBTA13 TMMBTA13 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2995 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA13 LGE

Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 350 mW.

Інші пропозиції MMBTA13 за ціною від 1.83 грн до 2.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA13 Виробник : Fairchild/ON Semiconductor MMBTA13.pdf Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 30, Ic = 1,2 А, hFE = 10 @ 100 mA, 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 915 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.14 грн
400+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13 MMBTA13
Код товару: 107665
Додати до обраних Обраний товар
MMBTA13.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13 MMBTA13 Виробник : onsemi MMBTA13.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13 MMBTA13 Виробник : onsemi MMBTA13.pdf Darlington Transistors NPN Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13 Виробник : ONSEMI MMBTA13.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13 MMBTA13 Виробник : LUGUANG ELECTRONIC MMBTA13,14.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Current gain: 5000...10000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.