MMBTA14 LUGUANG ELECTRONIC


MMBTA13,14.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Current gain: 10000...20000
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+3.65 грн
225+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 125 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA14 LUGUANG ELECTRONIC

Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 350 mW.

Інші пропозиції MMBTA14

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTA14 On Semiconductor MMBTA13LT1-D.pdf NPN Дарлингтон, Uкэ=30V, Iк=1,2A, 0.35Вт, SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA14 ONS/FAI MMBTA14.pdf NPN Дарлингтон, Uкэ=30V, Iк=1,2A, 0.35Вт, SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA14 MMBTA14 onsemi MMBTA13LT1-D.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA14 MMBTA14 onsemi MMBTA13LT1-D.pdf Darlington Transistors NPN Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA14 MMBTA13LT1-D.pdf
Виробник: On Semiconductor
NPN Дарлингтон, Uкэ=30V, Iк=1,2A, 0.35Вт, SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA14 MMBTA14.pdf
Виробник: ONS/FAI
NPN Дарлингтон, Uкэ=30V, Iк=1,2A, 0.35Вт, SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA14 MMBTA13LT1-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA14 MMBTA13LT1-D.pdf
Виробник: onsemi
Darlington Transistors NPN Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.