MMBTH10LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTH10LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 2.42 грн до 9.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 760161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Current gain: 60...240 |
на замовлення 1286 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTH10LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 213 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MMBTH10LT1G-- |
на замовлення 42200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11765+ | 3.01 грн |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 760161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11765+ | 3.01 грн |
| 100000+ | 2.53 грн |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Current gain: 60...240
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Current gain: 60...240
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 6.34 грн |
| 81+ | 5.21 грн |
| 95+ | 4.45 грн |
| 127+ | 3.33 грн |
| 160+ | 2.64 грн |
| 174+ | 2.42 грн |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 7.79 грн |
| 206+ | 3.97 грн |
| 233+ | 3.50 грн |
| 500+ | 3.03 грн |
| 1500+ | 2.67 грн |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 8.39 грн |
| 76+ | 4.26 грн |
| 100+ | 2.79 грн |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 82+ | 9.23 грн |
| 136+ | 5.58 грн |
| 157+ | 4.84 грн |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






