на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTH10LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 1.84 грн до 20.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 928161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTH10LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Kind of transistor: RF |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTH10LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
на замовлення 21366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 98550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Kind of transistor: RF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G-- |
на замовлення 42200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |