Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTH10LT1G
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G ON Semiconductor

mmbth10lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6303+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 1.81 грн до 10.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.23 грн
6000+2.07 грн
9000+2.03 грн
15000+1.86 грн
21000+1.84 грн
30000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5435+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 5435
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4886+2.55 грн
9000+2.45 грн
27000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 4886
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11765+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 11765
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 916161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11765+2.65 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 11765
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.71 грн
1500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3769+3.31 грн
3979+3.13 грн
4214+2.96 грн
4478+2.68 грн
4762+2.34 грн
6000+2.09 грн
15000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3769
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+4.10 грн
183+3.91 грн
192+3.72 грн
202+3.42 грн
250+3.00 грн
500+2.72 грн
1000+2.56 грн
3000+2.40 грн
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.40 грн
80+3.96 грн
92+3.45 грн
111+2.70 грн
250+2.45 грн
500+2.30 грн
1000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi MMBTH10LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 13462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+7.63 грн
91+3.85 грн
118+2.58 грн
500+2.36 грн
1000+2.20 грн
3000+2.05 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.10 грн
207+4.13 грн
271+3.16 грн
500+2.71 грн
1500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Kind of transistor: RF
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.53 грн
81+4.91 грн
93+4.28 грн
118+3.37 грн
128+3.10 грн
250+2.84 грн
500+2.69 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Kind of transistor: RF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.23 грн
49+6.12 грн
56+5.13 грн
71+4.05 грн
100+3.73 грн
250+3.40 грн
500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.