Продукція > ONSEMI > MMBTH10LT1G
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G onsemi

mmbth10lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 2.29 грн до 14.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 594161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11765+3.12 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 11765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11765+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 11765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3172+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.94 грн
73+4.20 грн
83+3.70 грн
100+2.90 грн
250+2.62 грн
500+2.46 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+9.76 грн
136+5.76 грн
157+5.00 грн
187+4.04 грн
250+3.39 грн
500+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
22+14.31 грн
40+7.87 грн
100+4.66 грн
500+3.76 грн
1000+3.46 грн
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 594161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11765+3.12 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 11765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11765+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 11765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3172+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.94 грн
73+4.20 грн
83+3.70 грн
100+2.90 грн
250+2.62 грн
500+2.46 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+9.76 грн
136+5.76 грн
157+5.00 грн
187+4.04 грн
250+3.39 грн
500+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.31 грн
40+7.87 грн
100+4.66 грн
500+3.76 грн
1000+3.46 грн
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G 1747968.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G 1747968.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.