Продукція > ONSEMI > MMBTH10LT1G
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G onsemi

mmbth10lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 841969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6957+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 6957
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 2.31 грн до 9.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11765+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 11765
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 817161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11765+2.74 грн
100000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 11765
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Current gain: 60...240
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.33 грн
81+5.20 грн
95+4.45 грн
127+3.32 грн
160+2.64 грн
174+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.78 грн
206+3.96 грн
233+3.50 грн
500+3.03 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+8.38 грн
76+4.25 грн
100+2.79 грн
500+2.65 грн
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+9.01 грн
136+5.44 грн
157+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G Виробник : LGE mmbth10lt1-d.pdf NPN 25V SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G Виробник : On Semiconductor MMBTH10LT1-D.pdf TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.