Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTH10LT1G
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G ON Semiconductor

mmbth10lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTH10LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 1.58 грн до 20.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11765+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 11765
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 928161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11765+2.59 грн
100000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 11765
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4478+2.72 грн
9000+2.63 грн
27000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 4478
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.86 грн
6000+2.50 грн
9000+2.49 грн
15000+2.19 грн
21000+1.90 грн
30000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.93 грн
6000+2.56 грн
9000+2.54 грн
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3948+3.08 грн
6000+2.69 грн
9000+2.68 грн
15000+2.36 грн
21000+2.05 грн
30000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3948
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3857+3.16 грн
6000+2.76 грн
9000+2.74 грн
15000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3857
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.40 грн
6000+2.91 грн
9000+2.73 грн
15000+2.37 грн
21000+2.25 грн
30000+2.14 грн
75000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2995+4.07 грн
3113+3.91 грн
3247+3.75 грн
3387+3.47 грн
3547+3.06 грн
6000+2.80 грн
15000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 2995
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+4.22 грн
149+4.07 грн
154+3.93 грн
160+3.64 грн
250+3.24 грн
500+2.98 грн
1000+2.86 грн
3000+2.73 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.87 грн
1500+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 90247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.23 грн
79+3.94 грн
91+3.43 грн
109+2.68 грн
250+2.43 грн
500+2.28 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi MMBTH10LT1_D-1811631.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 10986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+8.23 грн
84+4.10 грн
109+2.75 грн
500+2.52 грн
1000+2.38 грн
3000+2.15 грн
9000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.49 грн
36+10.98 грн
44+8.82 грн
73+5.30 грн
100+4.42 грн
369+2.44 грн
1015+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.90 грн
97+8.66 грн
144+5.80 грн
500+4.87 грн
1500+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.99 грн
22+13.68 грн
27+10.58 грн
50+6.37 грн
100+5.30 грн
369+2.93 грн
1015+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.