Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBTH10LT1G ON
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G ON

datasheet-mmbth10lt1g.pdf
Код товару: 175304
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
fT: 650 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
Монтаж: SMD
у наявності 5 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується 100 шт:
100 шт - очікується
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 1.81 грн до 10.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6303+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.22 грн
6000+2.06 грн
9000+2.02 грн
15000+1.86 грн
21000+1.83 грн
30000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5435+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5435
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4886+2.53 грн
9000+2.43 грн
27000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 4886
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 916161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11765+2.63 грн
100000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 11765
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11765+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 11765
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.72 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3769+3.28 грн
3979+3.11 грн
4214+2.94 грн
4478+2.67 грн
4762+2.32 грн
6000+2.08 грн
15000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3769
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+4.07 грн
183+3.88 грн
192+3.70 грн
202+3.39 грн
250+2.98 грн
500+2.70 грн
1000+2.54 грн
3000+2.39 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 47665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.43 грн
80+3.98 грн
93+3.44 грн
112+2.69 грн
250+2.44 грн
500+2.29 грн
1000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : onsemi MMBTH10LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 13462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+7.66 грн
91+3.86 грн
118+2.60 грн
500+2.37 грн
1000+2.21 грн
3000+2.06 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.14 грн
207+4.15 грн
271+3.17 грн
500+2.72 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Current gain: 60...240
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.57 грн
81+4.93 грн
93+4.30 грн
118+3.39 грн
128+3.12 грн
250+2.85 грн
500+2.70 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Current gain: 60...240
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.28 грн
49+6.15 грн
56+5.15 грн
71+4.07 грн
100+3.74 грн
250+3.42 грн
500+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

DP-25C (DSC-225) (корпус до роз'єму)
Код товару: 11349
Додати до обраних Обраний товар

DP-25C (DSC-225) (корпус до роз'єму)
Виробник: CviLux
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Функціональний опис: Корпус до кабельного 25 конт. комп. роз'єму, пластмас.
Вилка або розетка: Деталі роз'ємів, корпуси
К-сть контактів: 25
Серія: DB
у наявності: 7 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
2+12.00 грн
10+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 25V EHR 13x21mm (EHR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2989
Додати до обраних Обраний товар

EHR_081225.pdf
1000uF 25V EHR 13x21mm (EHR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 136 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується 25.12.2025
Кількість Ціна
4+6.50 грн
10+5.80 грн
100+5.20 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2553
Додати до обраних Обраний товар

PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
у наявності: 2900 шт
2800 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
8+2.50 грн
12+1.80 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT17-04
Код товару: 1668
Додати до обраних Обраний товар

BAT17-.pdf
BAT17-04
Виробник: Infineon
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOT-23
Зворотня напруга, Vrrm: 4 V
Прямий струм (per leg), If: 0,13 A
Падіння напруги, Vf: 0,6 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне з'єднання.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 199 шт
67 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Одеса
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 5 шт
5 шт - очікується
Кількість Ціна
4+5.00 грн
10+4.60 грн
100+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2402TRPBF
Код товару: 1173
Додати до обраних Обраний товар

irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7764 шт
7305 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
179 шт - РАДІОМАГ-Львів
197 шт - РАДІОМАГ-Харків
69 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
6+3.50 грн
10+2.90 грн
100+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.