Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBTH10LT1G ON
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G ON

datasheet-mmbth10lt1g.pdf
Код товару: 175304
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 650 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 25 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В
Монтаж: SMD
у наявності: 509 шт
  • 500 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+5.40 грн
100+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBTH10LT1G за ціною від 2.29 грн до 14.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 594161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11765+3.12 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 11765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11765+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 11765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3172+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.94 грн
73+4.20 грн
83+3.70 грн
100+2.90 грн
250+2.62 грн
500+2.46 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+9.76 грн
136+5.76 грн
157+5.00 грн
187+4.04 грн
250+3.39 грн
500+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
22+14.31 грн
40+7.87 грн
100+4.66 грн
500+3.76 грн
1000+3.46 грн
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 594161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11765+3.12 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 11765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11765+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 11765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3172+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.94 грн
73+4.20 грн
83+3.70 грн
100+2.90 грн
250+2.62 грн
500+2.46 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+9.76 грн
136+5.76 грн
157+5.00 грн
187+4.04 грн
250+3.39 грн
500+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.31 грн
40+7.87 грн
100+4.66 грн
500+3.76 грн
1000+3.46 грн
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G 1747968.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G mmbth10lt1d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G 1747968.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH10LT1G--
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMBT5401LT1G
Код товару: 34131
Додати до обраних Обраний товар
MMBT5401.pdf
MMBT5401LT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 300 МГц
Напруга Uке, В: 150 В
Напруга Uкб, В: 160 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 240
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R16 5 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
Код товару: 28628
12 Додати до обраних Обраний товар
ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 5 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
Виробник: KLS
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 5 кОм
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 mm
Потужність: 0,06 Вт
Шток: 15 мм
Характеристика: Лінійний
у наявності: 145 шт
  • 104 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується
на замовлення: 91 шт
  • 91 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+13.50 грн
10+11.60 грн
100+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3356 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 27278
Додати до обраних Обраний товар
2SC3356.pdf
2SC3356 (біполярний транзистор NPN)
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 7 ГГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 12 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 20 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 1416 шт
  • 1089 шт - склад
  • 196 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 120 шт
  • 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.00 грн
100+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Каніфоль соснова 20 г
Код товару: 26961
3 Додати до обраних Обраний товар
Каніфоль соснова 20 г
Виробник: Ремпласт
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Каніфоль
Опис: Каніфоль соснова. Застосовується як флюс для видалення оксидних плівок, забруднень з поверхні металу та для його захисту від окислення в процесі пайки.
Вага/Обʼєм/К-сть: 20 г
Консистенція: Твердий
у наявності: 167 шт
  • 163 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 24 шт
  • 24 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.50 грн
10+20.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 2000V X7R 10% 1206 3k/reel (1206B102K202N3-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 11455
2 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
1nF 2000V X7R 10% 1206 3k/reel (1206B102K202N3-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 нФ
Номін.напруга: 2000 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1305 шт
  • 1305 шт - склад
очікується: 6000 шт
  • 3000 шт - очікується
  • 3000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
12+1.80 грн
100+1.50 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.