
MMBZ6V8ALT1G ON Semiconductor
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBZ6V8ALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 6.46V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.6V, Power - Peak Pulse: 24W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4.5 V.
Інші пропозиції MMBZ6V8ALT1G за ціною від 1.21 грн до 9.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 558000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.46V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.6V Power - Peak Pulse: 24W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4.5 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6.46V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 7.14V usEccn: EAR99 Sperrspannung: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Spitzenimpulsverlustleistung: 24W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V Klemmspannung, max.: 9.6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 558000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.8V; 2.5A; 24W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Case: SOT23 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 4.5V Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 2.5A Breakdown voltage: 6.8V Leakage current: 0.5µA Kind of package: reel; tape Version: ESD Peak pulse power dissipation: 24W Mounting: SMD |
на замовлення 5376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.46V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.6V Power - Peak Pulse: 24W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4.5 V |
на замовлення 7644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.8V; 2.5A; 24W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Case: SOT23 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 4.5V Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 2.5A Breakdown voltage: 6.8V Leakage current: 0.5µA Kind of package: reel; tape Version: ESD Peak pulse power dissipation: 24W Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 323860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MMBZ6V8ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |