Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMUN2211LT1G (біполярний транзистор NPN) ON
MMUN2211LT1G (біполярний транзистор NPN)

MMUN2211LT1G (біполярний транзистор NPN) ON

MMUN2211LT1-D.PDF
Код товару: 28336
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор 10K + 10K
Монтаж: SMD
у наявності: 470 шт
  • 210 шт - склад
  • 74 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 83 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 78 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
17+1.20 грн
100+0.95 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2211LT1G (біполярний транзистор NPN) за ціною від 1.15 грн до 9.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.39 грн
6000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10205+1.39 грн
10345+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 10205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.40 грн
6000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.74 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4386+3.22 грн
8671+1.63 грн
9000+1.57 грн
27000+1.50 грн
51000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 4386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+4.50 грн
500+3.36 грн
1000+2.90 грн
3000+1.26 грн
6000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3145+4.50 грн
4214+3.36 грн
4871+2.90 грн
10792+1.26 грн
10949+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 60309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
75+5.62 грн
110+3.84 грн
130+3.25 грн
250+2.66 грн
500+2.30 грн
1000+1.98 грн
1500+1.83 грн
3000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.59 грн
100+3.43 грн
500+2.32 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 242918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 44747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 44747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.39 грн
6000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10205+1.39 грн
10345+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 10205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.40 грн
6000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.74 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4386+3.22 грн
8671+1.63 грн
9000+1.57 грн
27000+1.50 грн
51000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 4386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+4.50 грн
500+3.36 грн
1000+2.90 грн
3000+1.26 грн
6000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3145+4.50 грн
4214+3.36 грн
4871+2.90 грн
10792+1.26 грн
10949+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G MUN2211.PDF
MMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 60309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.13 грн
75+5.62 грн
110+3.84 грн
130+3.25 грн
250+2.66 грн
500+2.30 грн
1000+1.98 грн
1500+1.83 грн
3000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.41 грн
55+5.59 грн
100+3.43 грн
500+2.32 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 242918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 44747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 44747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMUN2111
Код товару: 4078
1 Додати до обраних Обраний товар
MMUN2111.pdf
MMUN2111
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
у наявності: 543 шт
  • 225 шт - склад
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 218 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль-стабілізатор напруги 3,3V на і/с AMS1117-3,3V
Код товару: 115457
12 Додати до обраних Обраний товар
Модуль-стабілізатор напруги 3,3V на і/с AMS1117-3,3V
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Перетворювач з 5В у 3,3В, виконаний на мікросхемі AMS1117, вхідна напруга: 4,5...7В, струм навантаження: 800мА.
Категорія: Модуль живлення
Призначення: Перетворювач напруги 3,3 VDC
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+13.20 грн
100+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2402TRPBF
Код товару: 1173
2 Додати до обраних Обраний товар
irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 1,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 175 шт
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 139 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.60 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
5 Додати до обраних Обраний товар
1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 3 А
Опис: Випрямний VR=1000В, IF=3А, IFSM=200А
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 В
у наявності: 1564 шт
  • 1156 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 167 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 197 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
  • 8000 шт - очікується 05.10.2026
на замовлення: 86 шт
  • 86 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
L7805CV
Код товару: 24792
8 Додати до обраних Обраний товар
L7800 series.pdf
L7805CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: THT
у наявності: 2284 шт
  • 2160 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 118 шт
  • 118 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.