MMUN2211LT1G (біполярний транзистор NPN) ON
Код товару: 28336
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор 10K + 10K
Монтаж: SMD
у наявності: 470 шт
- 210 шт - склад
- 74 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 83 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 78 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.95 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMUN2211LT1G (біполярний транзистор NPN) за ціною від 1.15 грн до 11.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 318000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 120140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 120140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 |
на замовлення 60309 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 242918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 44747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 44747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2211LT1G | ON-Semiconductor |
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1gкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.39 грн |
| 6000+ | 1.37 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10205+ | 1.39 грн |
| 10345+ | 1.37 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.40 грн |
| 6000+ | 1.39 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4386+ | 3.22 грн |
| 8671+ | 1.63 грн |
| 9000+ | 1.57 грн |
| 27000+ | 1.50 грн |
| 51000+ | 1.34 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 172+ | 4.50 грн |
| 500+ | 3.36 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| 3000+ | 1.26 грн |
| 6000+ | 1.15 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3145+ | 4.50 грн |
| 4214+ | 3.36 грн |
| 4871+ | 2.90 грн |
| 10792+ | 1.26 грн |
| 10949+ | 1.15 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 60309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 8.22 грн |
| 75+ | 5.68 грн |
| 110+ | 3.89 грн |
| 130+ | 3.28 грн |
| 250+ | 2.69 грн |
| 500+ | 2.32 грн |
| 1000+ | 2.00 грн |
| 1500+ | 1.85 грн |
| 3000+ | 1.63 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1769+ | 11.54 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 242918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 44747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 44747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.59 грн |
З цим товаром купують
| MMUN2111 Код товару: 4078
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
у наявності: 553 шт
- 235 шт - склад
- 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 218 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| Модуль-стабілізатор напруги 3,3V на і/с AMS1117-3,3V Код товару: 115457
12
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Перетворювач з 5В у 3,3В, виконаний на мікросхемі AMS1117, вхідна напруга: 4,5...7В, струм навантаження: 800мА.
Категорія: Модуль живлення
Призначення: Перетворювач напруги 3,3 VDC
Опис: Перетворювач з 5В у 3,3В, виконаний на мікросхемі AMS1117, вхідна напруга: 4,5...7В, струм навантаження: 800мА.
Категорія: Модуль живлення
Призначення: Перетворювач напруги 3,3 VDC
у наявності: 153 шт
- 121 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.20 грн |
| 100+ | 11.00 грн |
| IRLML2402TRPBF Код товару: 1173
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 1,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 1,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 828 шт
- 442 шт - склад
- 54 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 136 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 171 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.10 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |
| 1N5408 Код товару: 2135
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 3 А
Опис: Випрямний VR=1000В, IF=3А, IFSM=200А
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 3 А
Опис: Випрямний VR=1000В, IF=3А, IFSM=200А
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 В
у наявності: 2532 шт
- 1925 шт - склад
- 151 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 229 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 227 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
- 8000 шт - очікується 05.10.2026
на замовлення: 86 шт
- 86 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| L7805CV Код товару: 24792
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: THT
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 1,5 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: 0...125°С
Монтаж: THT
у наявності: 2460 шт
- 2313 шт - склад
- 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 41 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 31 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 118 шт
- 118 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 7.20 грн |










