Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMUN2232LT1G ON
MMUN2232LT1G

MMUN2232LT1G ON

MMUN2232LT1G.pdf
Код товару: 34988
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 30
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності 2810 шт:
2430 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.60 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2232LT1G за ціною від 0.65 грн до 11.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9203+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 9203
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.00 грн
6000+1.71 грн
9000+1.60 грн
15000+1.39 грн
21000+1.32 грн
30000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5396+2.26 грн
6073+2.01 грн
9000+1.88 грн
27000+1.65 грн
51000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 5396
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.46 грн
1000+1.57 грн
3000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2526+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 2526
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
61+6.85 грн
100+3.88 грн
158+2.46 грн
500+1.82 грн
955+0.95 грн
2627+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.22 грн
60+4.83 грн
100+2.95 грн
500+2.19 грн
955+1.13 грн
2627+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+9.86 грн
105+5.79 грн
106+5.73 грн
174+3.36 грн
250+3.08 грн
500+2.11 грн
1000+1.83 грн
3000+1.61 грн
6000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.35 грн
130+6.45 грн
210+3.98 грн
500+2.67 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 63165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.46 грн
52+6.05 грн
100+3.72 грн
500+2.53 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi DTC143E_D-1773665.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 40480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.55 грн
52+6.59 грн
100+3.57 грн
500+2.53 грн
1000+2.01 грн
3000+1.64 грн
6000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28336
Додати до обраних Обраний товар

MMUN2211LT1-D.PDF
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 1501 шт
1066 шт - склад
123 шт - РАДІОМАГ-Київ
83 шт - РАДІОМАГ-Львів
73 шт - РАДІОМАГ-Харків
38 шт - РАДІОМАГ-Одеса
118 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
10+1.20 грн
100+0.95 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 35921
Додати до обраних Обраний товар

MMUN2214LT1.pdf
MMUN2214LT1 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 140
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 1000 шт
1000 шт - склад
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.60 грн
100+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2553
Додати до обраних Обраний товар

PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
у наявності: 1024 шт
647 шт - склад
65 шт - РАДІОМАГ-Київ
95 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
173 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.80 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC846B (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2035
Додати до обраних Обраний товар

BC846, 847.pdf
BC846B (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 1056 шт
856 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
200 шт - очікується
Кількість Ціна
7+1.50 грн
12+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 1933
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 5276 шт
5027 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Київ
126 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.