Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMUN2232LT1G ON
MMUN2232LT1G

MMUN2232LT1G ON

MMUN2232LT1G.pdf
Код товару: 34988
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 30
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності 2670 шт:
2320 шт - склад
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.60 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2232LT1G за ціною від 0.72 грн до 11.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13637+0.89 грн
14019+0.87 грн
14151+0.86 грн
15000+0.82 грн
21000+0.75 грн
30000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 13637
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.96 грн
6000+0.94 грн
9000+0.92 грн
15000+0.88 грн
21000+0.81 грн
30000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.78 грн
6000+1.52 грн
9000+1.42 грн
15000+1.23 грн
21000+1.17 грн
30000+1.11 грн
75000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.47 грн
1000+1.59 грн
3000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4855+2.51 грн
5618+2.17 грн
6356+1.91 грн
7318+1.60 грн
15000+1.26 грн
30000+0.99 грн
75000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 4855
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4839+2.52 грн
6000+2.26 грн
9000+1.71 грн
27000+1.57 грн
51000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 4839
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2605+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 2605
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.42 грн
76+5.16 грн
109+3.60 грн
128+3.07 грн
500+2.17 грн
957+0.96 грн
2632+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 104454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.94 грн
58+5.40 грн
100+3.32 грн
500+2.25 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+9.72 грн
116+6.00 грн
118+5.94 грн
192+3.50 грн
250+3.21 грн
500+2.21 грн
1000+1.91 грн
3000+1.69 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi DTC143E-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 40169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.81 грн
58+5.96 грн
100+3.15 грн
500+2.40 грн
1000+2.10 грн
3000+1.65 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.11 грн
46+6.43 грн
66+4.32 грн
100+3.68 грн
500+2.60 грн
957+1.15 грн
2632+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+11.20 грн
131+6.48 грн
211+4.00 грн
500+2.68 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28336
Додати до обраних Обраний товар

MMUN2211LT1-D.PDF
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 1323 шт
959 шт - склад
113 шт - РАДІОМАГ-Київ
83 шт - РАДІОМАГ-Львів
63 шт - РАДІОМАГ-Харків
38 шт - РАДІОМАГ-Одеса
67 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
10+1.20 грн
100+0.95 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 35921
Додати до обраних Обраний товар

MMUN2214LT1.pdf
MMUN2214LT1 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 140
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 180 шт
180 шт - склад
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.60 грн
100+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2553
Додати до обраних Обраний товар

PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується 14.09.2025
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.80 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC846B (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2035
Додати до обраних Обраний товар

BC846, 847.pdf
BC846B (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 2087 шт
1537 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
12+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 1933
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4890 шт
4651 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Київ
121 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.