Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMUN2232LT1G ON
MMUN2232LT1G

MMUN2232LT1G ON

MMUN2232LT1G.pdf
Код товару: 34988
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 30
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності 2460 шт:
2120 шт - склад
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+2.00 грн
25+1.60 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2232LT1G за ціною від 0.79 грн до 10.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7654+1.62 грн
8824+1.41 грн
9678+1.29 грн
10639+1.13 грн
15000+0.93 грн
30000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 7654
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.85 грн
6000+1.58 грн
9000+1.48 грн
15000+1.28 грн
21000+1.21 грн
30000+1.15 грн
75000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.64 грн
1000+1.64 грн
3000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3695+3.37 грн
6000+2.87 грн
9000+2.86 грн
27000+2.61 грн
51000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3695
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2778+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 2778
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+6.58 грн
176+4.06 грн
177+4.02 грн
289+2.37 грн
292+2.17 грн
500+1.49 грн
1000+1.29 грн
3000+1.18 грн
6000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
на замовлення 32924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
81+5.01 грн
118+3.44 грн
138+2.94 грн
500+2.08 грн
1000+1.81 грн
3000+1.49 грн
6000+1.33 грн
9000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.24 грн
58+5.58 грн
100+3.45 грн
500+2.34 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.45 грн
49+6.25 грн
71+4.13 грн
100+3.52 грн
500+2.49 грн
1000+2.17 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.80 грн
131+6.67 грн
214+4.08 грн
500+2.86 грн
1500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Виробник : onsemi DTC143E-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28336
Додати до обраних Обраний товар

MMUN2211LT1-D.PDF
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 1072 шт
789 шт - склад
110 шт - РАДІОМАГ-Київ
83 шт - РАДІОМАГ-Львів
63 шт - РАДІОМАГ-Харків
27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
27+1.50 грн
34+1.20 грн
100+0.95 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 35921
Додати до обраних Обраний товар

MMUN2214LT1.pdf
MMUN2214LT1 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 140
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 150 шт
50 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
20+2.00 грн
25+1.60 грн
100+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2553
Додати до обраних Обраний товар

PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
у наявності: 2464 шт
2374 шт - склад
90 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
16+2.50 грн
23+1.80 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BC846B (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2035
Додати до обраних Обраний товар

BC846, 847.pdf
BC846B (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 554 шт
217 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Львів
200 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
27+1.50 грн
45+0.90 грн
100+0.74 грн
1000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 1933
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4183 шт
4006 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
12+3.50 грн
13+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.