MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) ON
Код товару: 28336
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор 10K + 10K
Монтаж: SMD
у наявності: 527 шт
- 250 шт - склад
- 104 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 83 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 63 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.95 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) за ціною від 1.03 грн до 9.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 276000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 276000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 56522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 126140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 |
на замовлення 45358 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 13019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 56522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 92841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2211LT1G | ON-Semiconductor |
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1gкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.23 грн |
| 6000+ | 1.22 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11539+ | 1.23 грн |
| 11628+ | 1.22 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.74 грн |
| 6000+ | 1.49 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.75 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 56522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.50 грн |
| 1500+ | 2.00 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5120+ | 2.77 грн |
| 6000+ | 2.53 грн |
| 9000+ | 2.52 грн |
| 27000+ | 2.39 грн |
| 51000+ | 2.20 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3068+ | 4.62 грн |
| 4055+ | 3.50 грн |
| 4703+ | 3.01 грн |
| 12196+ | 1.12 грн |
| 12296+ | 1.03 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 7.06 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 45358 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 63+ | 7.24 грн |
| 87+ | 4.88 грн |
| 126+ | 3.35 грн |
| 148+ | 2.84 грн |
| 250+ | 2.32 грн |
| 500+ | 2.01 грн |
| 1000+ | 1.71 грн |
| 1500+ | 1.58 грн |
| 3000+ | 1.40 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 13019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.43 грн |
| 55+ | 5.60 грн |
| 100+ | 3.44 грн |
| 500+ | 2.33 грн |
| 1000+ | 2.04 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 56522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 9.45 грн |
| 144+ | 5.67 грн |
| 219+ | 3.72 грн |
| 500+ | 2.50 грн |
| 1500+ | 2.00 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 92841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.78 грн |
| 55+ | 5.94 грн |
| 100+ | 3.21 грн |
| 500+ | 2.37 грн |
| 1000+ | 2.02 грн |
| 3000+ | 1.54 грн |
| 6000+ | 1.33 грн |
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2211LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.63 грн |
З цим товаром купують
| MMUN2111 Код товару: 4078
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Корпус: SOT-23
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
у наявності: 1553 шт
- 1235 шт - склад
- 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 218 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| Модуль-стабілізатор напруги 3,3V на і/с AMS1117-3,3V Код товару: 115457
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Перетворювач з 5В у 3,3В, виконаний на мікросхемі AMS1117, вхідна напруга: 4,5...7В, струм навантаження: 800мА.
Категорія: Модуль живлення
Призначення: Перетворювач напруги 3,3 VDC
Опис: Перетворювач з 5В у 3,3В, виконаний на мікросхемі AMS1117, вхідна напруга: 4,5...7В, струм навантаження: 800мА.
Категорія: Модуль живлення
Призначення: Перетворювач напруги 3,3 VDC
у наявності: 451 шт
- 350 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 91 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 510 шт
- 500 шт - очікується 25.07.2026
- 10 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.20 грн |
| 100+ | 11.00 грн |
| IRLML2402TRPBF Код товару: 1173
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3734 шт
- 3278 шт - склад
- 85 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 169 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 177 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 2.90 грн |
| 100+ | 2.50 грн |
| 1N5408 Код товару: 2135
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 5945 шт
- 5609 шт - склад
- 148 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 35 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 153 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 250 шт
- 250 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| L7805CV Код товару: 24792
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 1,5 А
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 1,5 А
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: 0…125°C
у наявності: 1656 шт
- 1576 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 40 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 7.20 грн |










