MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) ON
Код товару: 28336
Виробник: ONКорпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності 1072 шт:
789 шт - склад
110 шт - РАДІОМАГ-Київ
83 шт - РАДІОМАГ-Львів
63 шт - РАДІОМАГ-Харків
27 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 1.50 грн |
| 34+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.95 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) за ціною від 0.77 грн до 11.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 804000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 804000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 103843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 |
на замовлення 13196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 5827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 55265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2211LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 103843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMUN2211LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1gкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
| MMUN2111 Код товару: 4078
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Корпус: SOT-23
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 60
Примітка: Цифровий транзистор
у наявності: 1593 шт
1315 шт - склад
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
218 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
218 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
50 шт
50 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 2.00 грн |
| 27+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| MMUN2232LT1G Код товару: 34988
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 30
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 30
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 2460 шт
2120 шт - склад
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 2.00 грн |
| 25+ | 1.60 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| IRLML2402TRPBF Код товару: 1173
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7299 шт
6861 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
179 шт - РАДІОМАГ-Львів
177 шт - РАДІОМАГ-Харків
49 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
179 шт - РАДІОМАГ-Львів
177 шт - РАДІОМАГ-Харків
49 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 3.50 грн |
| 14+ | 2.90 грн |
| 100+ | 2.50 грн |
| Контакти "мама" для BLD і BLS (NDR-T) (BLS-T) (BLD-T) Код товару: 3895
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" під крок роз'єму 2,54мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для BLD і BLS
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти "мама" під крок роз'єму 2,54мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для BLD і BLS
Монтаж: на провід
товару немає в наявності
очікується:
1500 шт
1000 шт - очікується
500 шт - очікується
500 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 1.00 грн |
| 58+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| BC817-40 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 17873
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується:
21000 шт
21000 шт - очікується 27.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 1.50 грн |
| 45+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |





