MPLAD6.5KP11CA Microsemi Corporation
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MPLAD6.5KP11CA Microsemi Corporation
Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD, Case: PLAD, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 11V, Breakdown voltage: 12.2...13.5V, Max. forward impulse current: 358A, Peak pulse power dissipation: 6.5kW, Semiconductor structure: bidirectional, Type of diode: TVS, Leakage current: 10µA.
Інші пропозиції MPLAD6.5KP11CA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MPLAD6.5KP11CA | Виробник : Microsemi |
 ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS |
товару немає в наявності |
||
 |
MPLAD6.5KP11CA | Виробник : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11V, 5%, 6500W, bi, mini-PLAD, SMT |
товару немає в наявності |
|
| MPLAD6.5KP11CA | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD Case: PLAD Mounting: SMD Max. off-state voltage: 11V Breakdown voltage: 12.2...13.5V Max. forward impulse current: 358A Peak pulse power dissipation: 6.5kW Semiconductor structure: bidirectional Type of diode: TVS Leakage current: 10µA |
товару немає в наявності |