Продукція > ADVANCED SEMICONDUCTOR, INC. > MRF4427R1
MRF4427R1

MRF4427R1 Advanced Semiconductor, Inc.

mrf4427-23380.pdf
Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+341.49 грн
10+302.47 грн
25+248.52 грн
100+216.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF4427R1 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: RF TRANS NPN 20V 8DBGA, Supplier Device Package: 8-SOIC, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Current - Collector (Ic) (Max): 400mA, Power - Max: 1.5W, Gain: 20dB, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MRF4427R1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MRF4427R1 MRF4427R1 Microsemi Corporation 11672-mrf4427-r1-r2-datasheet Description: RF TRANS NPN 20V 8DBGA
Supplier Device Package: 8-SOIC
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Power - Max: 1.5W
Gain: 20dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF4427R1 11672-mrf4427-r1-r2-datasheet
MRF4427R1
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 20V 8DBGA
Supplier Device Package: 8-SOIC
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Power - Max: 1.5W
Gain: 20dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.