Продукція > ADVANCED SEMICONDUCTOR, INC. > MRF4427R1

MRF4427R1 Advanced Semiconductor, Inc.

Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor

на замовлення 1333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MRF4427R1 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: RF TRANS NPN 20V 8DBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Gain: 20dB, Power - Max: 1.5W, Current - Collector (Ic) (Max): 400mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції MRF4427R1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	MRF4427R1	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 20V 8DBGA Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 20dB Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: 8-SOIC	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн.

MRF4427R1

Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 20V 8DBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 20dB
Power - Max: 1.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.