MRF581 Advanced Semiconductor, Inc.
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 613.79 грн |
| 10+ | 519.07 грн |
| 25+ | 408.55 грн |
| 100+ | 375.89 грн |
| 250+ | 353.40 грн |
| 500+ | 331.63 грн |
| 1000+ | 297.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF581 Advanced Semiconductor, Inc.
Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X, Packaging: Bulk, Package / Case: Micro-X ceramic (84C), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB ~ 15.5dB, Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C).
Інші пропозиції MRF581
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF581 | Виробник : Microsemi |
 TO-55 |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MRF581 | Виробник : MOT |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
MRF581 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Packaging: Bulk Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) |
товару немає в наявності |