Продукція > ADVANCED SEMICONDUCTOR, INC. > MRF581

MRF581 Advanced Semiconductor, Inc.

Name: MRF581
Brand: Advanced Semiconductor, Inc.
SKU: 6607915-4
Price: 645.94 UAH
Availability: InStock

Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors NPN SILICON RF TRANSISTOR

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	645.94 грн
10+	546.26 грн
25+	429.95 грн
100+	395.58 грн
250+	371.91 грн
500+	349.00 грн
1000+	313.11 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MRF581 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X, Packaging: Bulk, Package / Case: Micro-X ceramic (84C), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB ~ 15.5dB, Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C).

Інші пропозиції MRF581

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MRF581	Виробник : Microsemi	TO-55	на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
MRF581	Виробник : MOT		на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
MRF581	Виробник : Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Packaging: Bulk Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.