Продукція > ADVANCED SEMICONDUCTOR, INC. > MRF5812GR1

MRF5812GR1 Advanced Semiconductor, Inc.

Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MRF5812GR1 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Gain: 13dB ~ 15.5dB, Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції MRF5812GR1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MRF5812GR1	Виробник : Microsemi	Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 1250mW 8-Pin SOIC T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MRF5812GR1	Виробник : MICROSEMI	SOIC 8/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF5812 кількість в упаковці: 2500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MRF5812GR1	Виробник : Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MRF5812GR1	Виробник : Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.