Продукція > ADVANCED SEMICONDUCTOR, INC. > MRF5812GR1
MRF5812GR1

MRF5812GR1 Advanced Semiconductor, Inc.

mrf5812-1100575.pdf
Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF5812GR1 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Frequency - Transition: 5GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Power - Max: 1.25W, Gain: 13dB ~ 15.5dB, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції MRF5812GR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MRF5812GR1 MICROSEMI MRF5812%28G%29R1%2CR2.pdf SOIC 8/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF5812
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF5812GR1 Microsemi MRF5812R1R2REVA.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF5812GR1 MRF5812GR1 Microsemi Corporation MRF5812%28G%29R1%2CR2.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF5812GR1 MRF5812GR1 Microsemi Corporation MRF5812%28G%29R1%2CR2.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF5812GR1 MRF5812%28G%29R1%2CR2.pdf
Виробник: MICROSEMI
SOIC 8/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF5812
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF5812GR1 MRF5812R1R2REVA.pdf
Виробник: Microsemi
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF5812GR1 MRF5812%28G%29R1%2CR2.pdf
MRF5812GR1
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF5812GR1 MRF5812%28G%29R1%2CR2.pdf
MRF5812GR1
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.