MRF581A Advanced Semiconductor, Inc.
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 622.26 грн |
| 10+ | 526.23 грн |
| 25+ | 414.19 грн |
| 100+ | 381.08 грн |
| 250+ | 358.28 грн |
| 500+ | 336.21 грн |
| 1000+ | 301.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF581A Advanced Semiconductor, Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO-X, Packaging: Bulk, Package / Case: Micro-X ceramic (84C), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB ~ 15.5dB, Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C), Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції MRF581A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF581A |
 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
MRF581A | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO-X Packaging: Bulk Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |