Технічний опис MRF586 Microsemi
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Gain: 13.5dB, Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 3GHz, Supplier Device Package: TO-39.
Інші пропозиції MRF586
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF586 | Виробник : MICROSEMI |
TO-39/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS MRF586 кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MRF586 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 13.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 3GHz Supplier Device Package: TO-39 |
товару немає в наявності |
|
 |
MRF586 | Виробник : Advanced Semiconductor, Inc. |
 RF Bipolar Transistors RF Transistor |
товару немає в наявності |