Продукція > MICROSEMI > MRF586

MRF586 MICROSEMI


Виробник: MICROSEMI
TO-39/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS MRF586
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF586 MICROSEMI

Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39, Supplier Device Package: TO-39, Frequency - Transition: 3GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Power - Max: 1W, Gain: 13.5dB, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MRF586

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MRF586 MRF586 Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 3GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1W
Gain: 13.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF586 MRF586 Advanced Semiconductor, Inc. mrf586-22317.pdf RF Bipolar Transistors RF Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF586
MRF586
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 3GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1W
Gain: 13.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF586 mrf586-22317.pdf
MRF586
Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.