Продукція > APT(GHZ) > MS652S

MS652S APT(GHZ)

Виробник: APT(GHZ)

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MS652S APT(GHZ)

Description: RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: M123, Frequency - Transition: 450MHz ~ 512MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Power - Max: 25W, Gain: 10dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: M123, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MS652S

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	MS652S	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: M123 Frequency - Transition: 450MHz ~ 512MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V Current - Collector (Ic) (Max): 2A Power - Max: 25W Gain: 10dB Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: M123 Packaging: Bulk	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

MS652S

Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: M123
Frequency - Transition: 450MHz ~ 512MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Power - Max: 25W
Gain: 10dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: M123
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.