MSC1175M MICROSEMI
Виробник: MICROSEMIM218/RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS MSC1175
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC1175M MICROSEMI
Description: RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218, Packaging: Bulk, Package / Case: M218, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 250°C (TJ), Gain: 8dB, Power - Max: 400W, Current - Collector (Ic) (Max): 12A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Supplier Device Package: M218.
Інші пропозиції MSC1175M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC1175M | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 Packaging: Bulk Package / Case: M218 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 250°C (TJ) Gain: 8dB Power - Max: 400W Current - Collector (Ic) (Max): 12A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz Supplier Device Package: M218 |
товар відсутній |