MSD602-RT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.25 грн |
| 6000+ | 1.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSD602-RT1G onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції MSD602-RT1G за ціною від 1.30 грн до 12.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSD602-RT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MSD602-RT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V |
на замовлення 14785 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| MSD602-RT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.60 грн |
| 42+ | 7.15 грн |
| 100+ | 4.38 грн |
| 500+ | 2.99 грн |
| 1000+ | 2.62 грн |
| MSD602-RT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.33 грн |
| 47+ | 6.45 грн |
| 106+ | 2.48 грн |
| 1000+ | 2.22 грн |
| 3000+ | 1.63 грн |
| 9000+ | 1.37 грн |
| 24000+ | 1.30 грн |