 
MSD602-RT1G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 2.68 грн | 
| 6000+ | 2.30 грн | 
| 9000+ | 2.15 грн | 
| 15000+ | 1.87 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSD602-RT1G onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW. 
Інші пропозиції MSD602-RT1G за ціною від 1.53 грн до 14.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MSD602-RT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 19306 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MSD602-RT1G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V | на замовлення 14785 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| MSD602-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |   | на замовлення 2490 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
|   | MSD602-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | MSD602-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
| MSD602-RT1G | Виробник : Toshiba |  Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності |