MSD602-RT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.67 грн |
| 6000+ | 2.29 грн |
| 9000+ | 2.14 грн |
| 15000+ | 1.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSD602-RT1G onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції MSD602-RT1G за ціною від 1.52 грн до 14.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSD602-RT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 19306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MSD602-RT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V |
на замовлення 14785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MSD602-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
MSD602-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MSD602-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MSD602-RT1G | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
