Продукція > ONSEMI > MSD602-RT1G
MSD602-RT1G

MSD602-RT1G onsemi

msd602-rt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.54 грн
6000+2.17 грн
9000+2.04 грн
15000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSD602-RT1G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: SC-59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MSD602-RT1G за ціною від 2.79 грн до 12.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSD602-RT1G MSD602-RT1G onsemi msd602-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.51 грн
40+7.53 грн
100+4.65 грн
500+3.17 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G MSD602-RT1G onsemi msd602-rt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G ON Semiconductor msd602-rt1-d.pdf
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G msd602-rt1-d.pdf
MSD602-RT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.51 грн
40+7.53 грн
100+4.65 грн
500+3.17 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G msd602-rt1-d.pdf
MSD602-RT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G msd602-rt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.