Продукція > ONSEMI > MSD602-RT1G
MSD602-RT1G

MSD602-RT1G onsemi

msd602-rt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.51 грн
6000+2.15 грн
9000+2.02 грн
15000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSD602-RT1G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: SC-59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MSD602-RT1G за ціною від 1.38 грн до 13.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MSD602-RT1G MSD602-RT1G onsemi msd602-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
40+7.46 грн
100+4.61 грн
500+3.14 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G MSD602-RT1G onsemi msd602-rt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.02 грн
47+6.81 грн
106+2.62 грн
1000+2.34 грн
3000+1.72 грн
9000+1.45 грн
24000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G ON Semiconductor msd602-rt1-d.pdf
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G msd602-rt1-d.pdf
MSD602-RT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.40 грн
40+7.46 грн
100+4.61 грн
500+3.14 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G msd602-rt1-d.pdf
MSD602-RT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+13.02 грн
47+6.81 грн
106+2.62 грн
1000+2.34 грн
3000+1.72 грн
9000+1.45 грн
24000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1G msd602-rt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.