MSKD100-12 Microsemi Corporation
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 1200V 100A D1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Supplier Device Package: D1
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D1
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSKD100-12 Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 1200V 100A D1, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 300 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Supplier Device Package: D1, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: D1, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MSKD100-12
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSKD100-12 | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MSKD100-12 |
Виробник: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.