MSMBJ45CA Microchip Technology
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMBJ45CA Microchip Technology
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 52.65V; 8.3A; bidirectional; ±5%; DO214AA, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Tolerance: ±5%, Case: DO214AA, Semiconductor structure: bidirectional, Leakage current: 1µA, Max. forward impulse current: 8.3A, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 45V, Breakdown voltage: 52.65V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSMBJ45CA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSMBJ45CA | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Bidirectional SMD transil diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 52.65V; 8.3A; bidirectional; ±5%; DO214AA Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Case: DO214AA Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 8.3A Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 45V Breakdown voltage: 52.65V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
MSMBJ45CA | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 45V 72.7V DO214AA |
товар відсутній |
|
 |
MSMBJ45CA | Виробник : Microchip / Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS |
товар відсутній |
|
|
|
MSMBJ45CA | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 52.65V; 8.3A; bidirectional; ±5%; DO214AA Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Case: DO214AA Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 8.3A Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 45V Breakdown voltage: 52.65V |
товар відсутній |