Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > MSRT100160(A)D

MSRT100160(A)D GeneSiC Semiconductor

266925488945476msrt100120ad_thru_msrt100160ad.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Standard Recovery Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSRT100160(A)D GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Three Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: Three Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V.

Інші пропозиції MSRT100160(A)D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSRT100160(A)D MSRT100160(A)D Виробник : GeneSiC Semiconductor msrt100120(a)d_thru_msrt100160(a)d.pdf Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160AD MSRT100160AD Виробник : GeneSiC Semiconductor msrt100160ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160(A)D MSRT100160(A)D Виробник : GeneSiC Semiconductor msrt100120ad_thru_msrt100160ad-1133132.pdf Discrete Semiconductor Modules 1600V 100A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.