Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > MT3S111(TE85L,F)
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.12 грн
6000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції MT3S111(TE85L,F) за ціною від 16.41 грн до 54.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.30 грн
500+25.44 грн
1000+20.02 грн
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
10+33.18 грн
25+31.24 грн
100+26.83 грн
250+25.33 грн
500+24.27 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Виробник : Toshiba MT3S111_datasheet_en_20140926-1316009.pdf RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.70 грн
10+46.36 грн
100+27.51 грн
500+22.95 грн
1000+19.50 грн
3000+17.73 грн
6000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.88 грн
22+37.63 грн
100+29.30 грн
500+25.44 грн
1000+20.02 грн
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Виробник : Toshiba 449docget.jsptypedatasheetlangenpidmt3s111.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 160mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.