Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > MT3S111(TE85L,F)
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.95 грн
10+30.02 грн
25+28.29 грн
100+24.30 грн
250+22.94 грн
500+21.98 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 700mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 11.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MT3S111(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) TOSHIBA MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Toshiba MT3S111_datasheet_en_20140926-1316009.pdf RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) TOSHIBA MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111
MT3S111(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111_datasheet_en_20140926-1316009.pdf
MT3S111(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F) MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111
MT3S111(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.