MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.98 грн |
| 10+ | 30.86 грн |
| 25+ | 29.07 грн |
| 100+ | 24.98 грн |
| 250+ | 23.58 грн |
| 500+ | 22.60 грн |
| 1000+ | 21.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-236, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції MT3S111(TE85L,F) за ціною від 15.68 грн до 123.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT3S111(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MT3S111(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW |
на замовлення 5878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MT3S111(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|