Продукція > TOSHIBA > MT3S111P(TE12L,F)
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F) Toshiba


MT3S111P_datasheet_en_20140301-1316151.pdf Виробник: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 1W
на замовлення 1652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.89 грн
10+54.65 грн
100+37.00 грн
500+31.41 грн
1000+25.09 грн
2000+23.76 грн
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT3S111P(TE12L,F) Toshiba

Description: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10.5dB, Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active.

Інші пропозиції MT3S111P(TE12L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MT3S111P(TE12L,F) MT3S111P(TE12L,F) Виробник : Toshiba 6docget.jsppidmt3s111plangentypedatasheet.jsppidmt3s111plangentype.pdf Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 300mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111P(TE12L,F) MT3S111P(TE12L,F) Виробник : Toshiba docget.pdf Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 300mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111P(TE12L,F) MT3S111P(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P_datasheet_en_20140301.pdf?did=22563&prodName=MT3S111P Description: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111P(TE12L,F) MT3S111P(TE12L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P_datasheet_en_20140301.pdf?did=22563&prodName=MT3S111P Description: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.