MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 12.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Packaging: Cut Tape (CT)
Gain: 11.8dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.80 грн |
| 10+ | 43.44 грн |
| 25+ | 39.26 грн |
| 100+ | 32.23 грн |
| 250+ | 28.29 грн |
| 500+ | 25.00 грн |
| 1000+ | 19.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI, Part Status: Active, Supplier Device Package: S-Mini, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Frequency - Transition: 12.5GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 800mW, Gain: 11.8dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MT3S113(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT3S113(TE85L,F) | Toshiba |
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MT3S113(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)