Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > MT3S113(TE85L,F)
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113_datasheet_en_20140301.pdf?did=2068&prodName=MT3S113
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.8dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.73 грн
10+44.23 грн
25+39.97 грн
100+32.82 грн
250+28.80 грн
500+25.45 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11.8dB, Power - Max: 800mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V, Frequency - Transition: 12.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active.

Інші пропозиції MT3S113(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT3S113(TE85L,F) MT3S113(TE85L,F) Toshiba MT3S113_datasheet_en_20140301-1316150.pdf RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113(TE85L,F) MT3S113_datasheet_en_20140301-1316150.pdf
MT3S113(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.