на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 42.84 грн |
| 11+ | 34.34 грн |
| 100+ | 25.83 грн |
| 500+ | 23.01 грн |
| 1000+ | 20.80 грн |
| 3000+ | 18.97 грн |
| 6000+ | 16.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT3S113TU,LF Toshiba
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.5dB, Power - Max: 900mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V, Frequency - Transition: 11.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Supplier Device Package: UFM.
Інші пропозиції MT3S113TU,LF за ціною від 19.02 грн до 50.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT3S113TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 900mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Supplier Device Package: UFM |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MT3S113TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 900mW 3-Pin UFM T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MT3S113TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 900mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Supplier Device Package: UFM |
товару немає в наявності |