MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.95 грн |
| 10+ | 39.80 грн |
| 25+ | 35.93 грн |
| 100+ | 29.49 грн |
| 250+ | 25.88 грн |
| 500+ | 22.87 грн |
| 1000+ | 17.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.5dB, Power - Max: 900mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V, Frequency - Transition: 11.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Supplier Device Package: UFM.
Інші пропозиції MT3S113TU,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT3S113TU,LF | Toshiba |
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MT3S113TU,LF |
|
Виробник: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)