MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.43 грн |
| 10+ | 41.05 грн |
| 25+ | 37.06 грн |
| 100+ | 30.42 грн |
| 250+ | 26.69 грн |
| 500+ | 23.59 грн |
| 1000+ | 18.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.5dB, Power - Max: 900mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V, Frequency - Transition: 11.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Supplier Device Package: UFM.
Інші пропозиції MT3S113TU,LF за ціною від 17.91 грн до 56.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT3S113TU,LF | Виробник : Toshiba |
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW |
на замовлення 2449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MT3S113TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 900mW 3-Pin UFM T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MT3S113TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 900mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Supplier Device Package: UFM |
товару немає в наявності |