MWI50-12A7T
Виробник:
IGBT-шестерка, Vces=1200V, Ic25=85A, Ic80=60A, Vce(sat)=2.2V, термистор Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MWI50-12A7T
Description: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MWI50-12A7T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MWI50-12A7T | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
 |
MWI50-12A7T | Виробник : IXYS |
IGBT Modules 50 Amps 1200V |
товару немає в наявності |