Продукція > MWI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MWI100-06A8IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI100-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 100 Amps 600V
товар відсутній
MWI100-06A8IXYSMWI100-06A8 IGBT modules
товар відсутній
MWI100-06A8TIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI100-12A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 100 Amps 1200V
товар відсутній
MWI100-12A8IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3
товар відсутній
MWI100-12A8IXYSMWI100-12A8 IGBT modules
товар відсутній
MWI100-12A8TIXYSDescription: IGBT SIXPACK 160A 1200V E3PACK
товар відсутній
MWI100-12E8IXYS165A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI100-12E8IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3
товар відсутній
MWI100-12T8TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 100 Amps 1200V
товар відсутній
MWI100-12T8TIXYSDescription: MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3
товар відсутній
MWI100-12T8TIXYS11+ .
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI15-12A6KIXYSDescription: MOD IGBT RBSOA SIXPACK E1
товар відсутній
MWI15-12A7IXYSMWI15-12A7 IGBT modules
товар відсутній
MWI15-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 140 W
Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5552.56 грн
MWI15-12A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MWI15-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 30A 140000mW 17-Pin
товар відсутній
MWI150-06A8IXYSDescription: TRANS 16BIY 3-PH 600V 115AMP
товар відсутній
MWI150-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 600V
товар відсутній
MWI150-06A8TIXYSDescription: IGBT SIXPACK 170A 600V E3PACK
товар відсутній
mwi150-12e9ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI150-12T8
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI150-12T8TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Application: motors; photovoltaics
Power dissipation: 690W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI150-12T8TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Application: motors; photovoltaics
Power dissipation: 690W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товар відсутній
MWI150-12T8TIXYSDescription: MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3
товар відсутній
MWI150-12T8TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 1200V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
mwi150-17e9ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI200-06A8IXYSMWI200-06A8 IGBT modules
товар відсутній
MWI200-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules NPT IGBT 600V, 200A
товар відсутній
MWI200-06A8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 225A 675000mW 21-Pin E3
товар відсутній
MWI200-06A8IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3
Packaging: Bulk
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 675 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI200-06A8TIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 225A 675W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 675 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI225-12E9IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK E+
товар відсутній
MWI225-12E9IXYS355A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI225-12E9ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI225-17E9ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI225-17E9IXYSDescription: IGBT MODULE 1700V 335A 1400W E+
Packaging: Box
Package / Case: E+
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E+
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 335 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI225-17E9IXYS335A/1700V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI25-12A7
Код товару: 152817		Транзистори > IGBT
товар відсутній
MWI25-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+6838.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
MWI25-12A7IXYSMWI25-12A7 IGBT modules
товар відсутній
MWI25-12A7IXYSIGBT Modules 25 Amps 1200V
товар відсутній
MWI25-12A7TIXYSIGBT Modules 25 Amps 1200V
товар відсутній
MWI25-12A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: motors
Case: E2-Pack
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 70A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
товар відсутній
MWI25-12A7TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
товар відсутній
MWI25-12A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: motors
Case: E2-Pack
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 70A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI25-12E7IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
товар відсутній
MWI25-12E7IXYS52A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI30-06A7IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
товар відсутній
MWI30-06A7IXYSMWI30-06A7 IGBT modules
товар відсутній
MWI30-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 30 Amps 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MWI30-06A7TIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
товар відсутній
MWI30-06A7TIXYSMWI30-06A7T IGBT modules
товар відсутній
MWI30-06A7TIXYSIGBT Modules 30 Amps 600V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MWI30-12E6KIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
товар відсутній
MWI300-12E9ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI300-12E9IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 530A 2100W E+
Packaging: Box
Package / Case: E+
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E+
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI300-12E9IXYS530A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI300-17E9IXYS500A/1700V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI300-17E9IXYSDescription: IGBT MODULE 1700V 500A 2200W E+
Packaging: Box
Package / Case: E+
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E+
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 33 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI300-17E9ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI35-12A7IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
товар відсутній
MWI35-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 70A
Application: motors
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 44A
Topology: IGBT three-phase bridge
товар відсутній
MWI35-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 70A
Application: motors
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 44A
Topology: IGBT three-phase bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI35-12A7TIXYS62A/1200V/MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI35-12A7TIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
товар відсутній
MWI35-12E7IXYS52A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI45-12T6KIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
товар відсутній
MWI450-12E9IXYS640A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI450-12E9ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI450-12E9IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 640A 2200W E+
Packaging: Box
Package / Case: E+
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E+
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 640 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 33 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI450-17E9IXYS540A/1700V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI450-17E9ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI451-17E9IXYSDescription: IGBT E9PACK
товар відсутній
MWI50-06IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 72A 225W 18-Pin E2
товар відсутній
MWI50-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 50 Amps 600V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MWI50-06A7ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI50-06A7IXYS75A/600V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06A7TIXYS75A/600V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06A7TIXYSMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06A7TIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI50-06A7TIXYS
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06A7TIXYSA3-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06ATmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06AT7
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MWI50-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI50-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI50-12A7
Код товару: 112048		Транзистори > IGBT
товар відсутній
MWI50-12A7IXYSIGBT Modules 50 Amps 1200V
товар відсутній
MWI50-12A7TIXYSIGBT Modules 50 Amps 1200V
товар відсутній
MWI50-12A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MWI50-12A7TLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350W 18-Pin E2
товар відсутній
MWI50-12A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI50-12A7TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI50-12E6KIXYS51A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-12E6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 51A 210W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 210 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI50-12E7IXYSMODULE
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-12E7IXYS90A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-12E7ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-12E7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.8 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI50-12T7TIXYSIGBT Modules 50 Amps 1200V
товар відсутній
MWI50-12T7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: E2-Pack
Application: motors; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 270W
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MWI50-12T7TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI50-12T7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: E2-Pack
Application: motors; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 270W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI60-06G6KIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 60A 180W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI60-12T6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: E1-Pack
Pulsed collector current: 70A
Collector current: 41A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 200W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI60-12T6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI60-12T6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 60 Amps 1200V
товар відсутній
MWI60-12T6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: E1-Pack
Pulsed collector current: 70A
Collector current: 41A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 200W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній
MWI75-06A7IXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
товар відсутній
MWI75-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 75 Amps 600V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MWI75-06A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Technology: NPT
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній
MWI75-06A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Technology: NPT
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI75-06A7TIXYSDescription: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
товар відсутній
MWI75-06A7TIXYSIGBT Modules 75 Amps 600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MWI75-12AIXYS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI75-12A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Application: motors
Power dissipation: 500W
Pulsed collector current: 150A
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Topology: IGBT three-phase bridge
товар відсутній
MWI75-12A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Application: motors
Power dissipation: 500W
Pulsed collector current: 150A
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Topology: IGBT three-phase bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI75-12A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules IGBT MOD 1200V, 75A
товар відсутній
MWI75-12A8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 125A 500W E3
товар відсутній
MWI75-12A8TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 125A 500W
товар відсутній
MWI75-12E8IXYS130A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI75-12E8ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI75-12E8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3
товар відсутній
MWI75-12E8IXYSMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI75-12T7TIXYSIGBT Modules 75 Amps 1200V
товар відсутній
MWI75-12T7TIXYSDescription: IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
товар відсутній
MWI75-12T7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: motors; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Power dissipation: 355W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI75-12T7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: motors; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Power dissipation: 355W
товар відсутній
MWI75-12T8TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: motors; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Power dissipation: 360W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI75-12T8TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: motors; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Power dissipation: 360W
товар відсутній
MWI75-12T8TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V
товар відсутній
MWI75-12T8TIXYSDescription: IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
товар відсутній
MWI80-12T6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 80 Amps 1200V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MWI80-12T6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
товар відсутній
MWI80-12T6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: E1-Pack
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 56A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: HiPerFRED™
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 270W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MWI80-12T6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: E1-Pack
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 56A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: HiPerFRED™
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 270W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товар відсутній
MWIC915GMB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWIC915NR2
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWIC930
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWIC930GNR1
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWIC930GNR1NXP USA Inc.Description: IC RF AMP CEL 900MHZ TO272 WB-16
товар відсутній
MWIC930GNR1NXP USA Inc.Description: IC RF AMP CEL 900MHZ TO272 WB-16
товар відсутній
MWIC930GR1Freescale Semiconductor - NXPDescription: IC PWR AMP RF 30W TO272-16GW
товар відсутній
MWIC930N
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWIC930NR1NXP USA Inc.Description: IC AMP CELLULAR 900MHZ TO272WB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 900MHz
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Voltage - Supply: 26V
Gain: 30dB
Current - Supply: 90mA
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
Part Status: Obsolete
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5499.25 грн
10+ 4937.5 грн
25+ 4579.69 грн
100+ 4029.26 грн
MWIC930NR1NXP USA Inc.Description: IC AMP CELLULAR 900MHZ TO272WB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 900MHz
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Voltage - Supply: 26V
Gain: 30dB
Current - Supply: 90mA
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
Part Status: Obsolete
товар відсутній
MWIC930NR1,528NXP USA Inc.Description: WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 900MHz
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Voltage - Supply: 26V
Gain: 30dB
Current - Supply: 90mA
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
товар відсутній
MWIC930R1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWIC930R1Freescale Semiconductor - NXPDescription: MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16
товар відсутній
MWIC930R1a
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWIC930R5Freescale Semiconductor - NXPDescription: MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16
товар відсутній
MWIC930R5
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWIC930W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWINT840GA
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)