на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7979+ | 4.04 грн |
| 10000+ | 3.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS0605 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDS0605 за ціною від 2.59 грн до 32.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDS0605 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS0605 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS0605 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS0605 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Case: SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.18A Gate charge: 2.5nC On-state resistance: 5Ω Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 9568 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NDS0605 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 32726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS0605 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 27327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS0605 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS0605 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS0605 | Виробник : onsemi |
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 36170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NDS0605 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |