Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS0605
NDS0605

NDS0605 ON Semiconductor

nds0605-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7979+4.59 грн
10000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 7979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 7979 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS0605 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції NDS0605 за ціною від 2.94 грн до 37.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDS0605 NDS0605 ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2651+5.53 грн
2679+5.47 грн
2708+5.41 грн
2733+5.17 грн
3261+4.01 грн
6000+2.95 грн
15000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 2651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 onsemi nds0605-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
6000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 onsemi / Fairchild NDS0605-D.PDF MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 32726 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+23.44 грн
25+12.37 грн
100+6.17 грн
500+6.02 грн
1000+5.19 грн
3000+3.99 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 onsemi nds0605-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.19 грн
20+15.59 грн
50+11.22 грн
100+9.19 грн
500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 ONSEMI NDS0605.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.52 грн
34+12.74 грн
50+10.34 грн
100+9.36 грн
250+8.07 грн
258+3.74 грн
709+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.54 грн
139+5.63 грн
141+5.58 грн
142+5.33 грн
250+4.88 грн
500+4.64 грн
1000+4.60 грн
3000+3.85 грн
6000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 onsemi nds0605-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+37.74 грн
12+26.04 грн
100+14.37 грн
500+9.03 грн
1000+7.90 грн
3000+6.92 грн
6000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 ONSEMI 2304442.pdf Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 21126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 ONSEMI 2304442.pdf Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 nds0605-d.pdf
NDS0605
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2651+5.53 грн
2679+5.47 грн
2708+5.41 грн
2733+5.17 грн
3261+4.01 грн
6000+2.95 грн
15000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 2651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 nds0605-d.pdf
NDS0605
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.61 грн
6000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605-D.PDF
NDS0605
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 32726 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.44 грн
25+12.37 грн
100+6.17 грн
500+6.02 грн
1000+5.19 грн
3000+3.99 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 nds0605-d.pdf
NDS0605
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.19 грн
20+15.59 грн
50+11.22 грн
100+9.19 грн
500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605.pdf
NDS0605
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.52 грн
34+12.74 грн
50+10.34 грн
100+9.36 грн
250+8.07 грн
258+3.74 грн
709+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 nds0605-d.pdf
NDS0605
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+27.54 грн
139+5.63 грн
141+5.58 грн
142+5.33 грн
250+4.88 грн
500+4.64 грн
1000+4.60 грн
3000+3.85 грн
6000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 nds0605-d.pdf
NDS0605
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.74 грн
12+26.04 грн
100+14.37 грн
500+9.03 грн
1000+7.90 грн
3000+6.92 грн
6000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 2304442.pdf
NDS0605
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 21126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 2304442.pdf
NDS0605
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.