NDS0605

NDS0605 onsemi


nds0605-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 16750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.86 грн
6000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS0605 onsemi

Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NDS0605 за ціною від 3.45 грн до 37.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS0605 NDS0605 Виробник : ONSEMI NDS0605.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Gate charge: 2.5nC
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+20.06 грн
34+12.70 грн
51+8.40 грн
100+7.11 грн
250+5.86 грн
500+5.18 грн
1000+4.61 грн
3000+4.01 грн
6000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 Виробник : onsemi / Fairchild NDS0605-D.PDF MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 32726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.91 грн
28+11.57 грн
100+5.77 грн
500+5.63 грн
1000+4.85 грн
3000+3.73 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 Виробник : onsemi nds0605-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 17285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.53 грн
22+14.48 грн
100+9.11 грн
500+6.33 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 Виробник : onsemi nds0605-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 26578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.09 грн
21+15.61 грн
100+8.51 грн
500+6.33 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605 NDS0605 Виробник : ONSEMI 2304442.pdf Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.25 грн
50+26.25 грн
100+16.66 грн
500+9.75 грн
1500+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.