на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS351AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.092 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm.
Інші пропозиції NDS351AN за ціною від 6.07 грн до 34.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDS351AN | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.092 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS351AN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 370289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS351AN | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC |
на замовлення 46255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS351AN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 370289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDS351AN | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 460mW NDS351AN 3-SSOT Fairchild TNDS351an кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
NDS351AN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NDS351AN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V |
товар відсутній |