
на замовлення 46255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 35.71 грн |
13+ | 29.21 грн |
100+ | 17.37 грн |
1000+ | 10.56 грн |
3000+ | 8.88 грн |
9000+ | 7.80 грн |
24000+ | 7.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS351AN onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NDS351AN за ціною від 5.69 грн до 38.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NDS351AN | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 341532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NDS351AN | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NDS351AN | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NDS351AN | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NDS351AN | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |