Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS9407
NDS9407

NDS9407 ON Semiconductor

nds9407-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.94 грн
5000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS9407 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NDS9407 за ціною від 15.78 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.95 грн
5000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.63 грн
5000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
418+33.92 грн
2500+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 418
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 131070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
969+36.60 грн
1051+33.75 грн
10000+30.09 грн
100000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 969
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : ONSEMI 2304164.pdf Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.24 грн
500+28.75 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+53.36 грн
374+37.93 грн
500+31.09 грн
1000+27.55 грн
2500+17.68 грн
5000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.85 грн
15+53.36 грн
100+37.93 грн
500+29.98 грн
1000+25.51 грн
2500+16.98 грн
5000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : onsemi / Fairchild NDS9407-D.PDF MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
на замовлення 5220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.84 грн
10+49.39 грн
100+28.21 грн
500+21.86 грн
1000+19.83 грн
2500+17.53 грн
5000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 10039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.63 грн
10+51.59 грн
100+33.97 грн
500+24.74 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : onsemi nds9407-d.pdf MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
на замовлення 8104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.80 грн
10+54.77 грн
100+31.35 грн
500+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 Виробник : ONSEMI 2304164.pdf Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.57 грн
50+61.42 грн
100+40.24 грн
500+28.75 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 Виробник : ONS/FAI nds9407-d.pdf MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.