на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.10 грн |
| 5000+ | 16.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS9407 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NDS9407 за ціною від 15.66 грн до 87.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS9407 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V |
на замовлення 167500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 134600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V |
на замовлення 167753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS9407 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench |
на замовлення 6059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDS9407 | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NDS9407 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NDS9407 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |