Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS9407
NDS9407

NDS9407 ON Semiconductor

nds9407-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.34 грн
5000+ 28.64 грн
10000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS9407 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NDS9407

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407 NDS9407 Виробник : ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
NDS9407 NDS9407 Виробник : onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
товар відсутній
NDS9407 NDS9407 Виробник : onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
товар відсутній
NDS9407 NDS9407 Виробник : onsemi / Fairchild NDS9407_D-2317920.pdf MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench
товар відсутній