Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS9407
NDS9407

NDS9407 ON Semiconductor

nds9407-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+33.51 грн
25+30.46 грн
50+29.22 грн
100+25.79 грн
500+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS9407 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

Інші пропозиції NDS9407 за ціною від 19.61 грн до 780.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 130245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
923+38.33 грн
1001+35.35 грн
10000+31.52 грн
100000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 923 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.48 грн
351+40.37 грн
426+33.27 грн
539+25.34 грн
2500+21.35 грн
5000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.12 грн
17+44.48 грн
50+40.37 грн
100+32.08 грн
500+23.46 грн
2500+20.50 грн
5000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.89 грн
500+46.47 грн
1000+46.01 грн
2500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.46 грн
219+64.70 грн
250+62.95 грн
500+59.01 грн
1000+53.07 грн
3000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.81 грн
10+53.75 грн
50+39.90 грн
100+33.23 грн
500+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.81 грн
12+68.20 грн
25+66.46 грн
100+62.39 грн
250+56.20 грн
500+52.45 грн
1000+50.95 грн
3000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 ONSEMI 2304164.pdf Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 ONSEMI 2304164.pdf Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 ONS/FAI nds9407-d.pdf MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 130245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
923+38.33 грн
1001+35.35 грн
10000+31.52 грн
100000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 923 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
318+44.48 грн
351+40.37 грн
426+33.27 грн
539+25.34 грн
2500+21.35 грн
5000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.12 грн
17+44.48 грн
50+40.37 грн
100+32.08 грн
500+23.46 грн
2500+20.50 грн
5000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
237+59.89 грн
500+46.47 грн
1000+46.01 грн
2500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+66.46 грн
219+64.70 грн
250+62.95 грн
500+59.01 грн
1000+53.07 грн
3000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.81 грн
10+53.75 грн
50+39.90 грн
100+33.23 грн
500+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+105.81 грн
12+68.20 грн
25+66.46 грн
100+62.39 грн
250+56.20 грн
500+52.45 грн
1000+50.95 грн
3000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: onsemi
MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 2304164.pdf
NDS9407
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 2304164.pdf
NDS9407
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407 nds9407-d.pdf
Виробник: ONS/FAI
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.