| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.81 грн |
| 25+ | 30.73 грн |
| 50+ | 29.48 грн |
| 100+ | 26.02 грн |
| 500+ | 21.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
23 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS9407 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.
Інші пропозиції NDS9407 за ціною від 19.78 грн до 780.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS9407 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 130245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS9407 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS9407 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS9407 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS9407 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS9407 | onsemi | MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench |
на замовлення 7320 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS9407 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDS9407 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
на замовлення 2758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NDS9407 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
на замовлення 2758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NDS9407 | ONS/FAI | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Транзистори |
на замовлення 1 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 130245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 923+ | 38.67 грн |
| 1001+ | 35.66 грн |
| 10000+ | 31.80 грн |
| 100000+ | 25.69 грн |
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 44.87 грн |
| 351+ | 40.73 грн |
| 426+ | 33.56 грн |
| 539+ | 25.57 грн |
| 2500+ | 21.54 грн |
| 5000+ | 19.78 грн |
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 57.63 грн |
| 17+ | 44.87 грн |
| 50+ | 40.73 грн |
| 100+ | 32.36 грн |
| 500+ | 23.67 грн |
| 2500+ | 20.68 грн |
| 5000+ | 19.78 грн |
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 237+ | 60.43 грн |
| 500+ | 46.88 грн |
| 1000+ | 46.42 грн |
| 2500+ | 36.64 грн |
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 67.05 грн |
| 219+ | 65.28 грн |
| 250+ | 63.51 грн |
| 500+ | 59.53 грн |
| 1000+ | 53.54 грн |
| 3000+ | 49.89 грн |
| NDS9407 |
Виробник: onsemi
MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.63 грн |
| 10+ | 44.25 грн |
| 100+ | 34.16 грн |
| 500+ | 26.53 грн |
| 1000+ | 25.51 грн |
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 106.75 грн |
| 12+ | 68.81 грн |
| 25+ | 67.05 грн |
| 100+ | 62.95 грн |
| 250+ | 56.70 грн |
| 500+ | 52.92 грн |
| 1000+ | 51.40 грн |
| 3000+ | 49.89 грн |
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





