NDS9952A ON Semiconductor
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 764+ | 39.84 грн |
| 1000+ | 37.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS9952A ON Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції NDS9952A за ціною від 37.63 грн до 39.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDS9952A | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| NDS9952A | Виробник : ONSEMI |
NDS9952A Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
NDS9952A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
NDS9952A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
NDS9952A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE |
товару немає в наявності |