NDT3055L


ndt3055l-d.pdf
Код товару: 216835
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NDT3055L за ціною від 16.35 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDT3055L NDT3055L Виробник : onsemi ndt3055l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.38 грн
8000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : MULTICOMP PRO 4419347.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.54 грн
500+20.29 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ONSEMI 2284477.pdf Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.83 грн
12000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.85 грн
8000+32.31 грн
12000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.27 грн
8000+34.61 грн
12000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+37.86 грн
1000+36.64 грн
4000+35.94 грн
8000+34.16 грн
12000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
647+49.98 грн
1000+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
647+49.98 грн
1000+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+60.14 грн
16+48.70 грн
25+48.21 грн
100+37.46 грн
250+34.34 грн
500+32.18 грн
1000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+62.20 грн
211+61.58 грн
311+41.71 грн
314+39.83 грн
500+33.70 грн
1000+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : MULTICOMP PRO 4419347.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.67 грн
20+42.72 грн
100+28.54 грн
500+20.29 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.83 грн
250+50.14 грн
1000+33.01 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ONSEMI NDT3055L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.65 грн
6+71.67 грн
10+56.53 грн
15+47.78 грн
25+38.19 грн
50+29.78 грн
100+25.74 грн
4000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : onsemi ndt3055l-d.pdf MOSFETs SOT-223 N-CH LOGIC
на замовлення 34390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.99 грн
10+61.96 грн
100+37.18 грн
500+27.95 грн
1000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : onsemi ndt3055l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 17836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.14 грн
10+71.39 грн
100+47.73 грн
500+35.26 грн
1000+32.19 грн
2000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L NDT3055L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.92 грн
50+67.83 грн
250+50.14 грн
1000+33.01 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L Виробник : ON-Semiconductor ndt3055l-d.pdf N-MOSFET 4A 60V 0.1Ω NDT3055L smd TNDT3055l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055L Виробник : ONS/FAI ndt3055l-d.pdf Транзистор MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.