 
NDT452AP MULTICOMP PRO
 Виробник: MULTICOMP PRO
                                                Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 8360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 19.88 грн | 
| 500+ | 12.97 грн | 
| 1000+ | 8.52 грн | 
| 5000+ | 7.49 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT452AP MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції NDT452AP за ціною від 7.49 грн до 98.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NDT452AP | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V | на замовлення 8000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2175 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2459 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1175 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1175 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : MULTICOMP PRO |  Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8360 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2459 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 4023 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V | на замовлення 8334 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode | на замовлення 21513 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4023 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| NDT452AP | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |  P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R). SOT-223 | на замовлення 5 шт:термін постачання 3 дні (днів) | ||||||||||||||||||
| NDT452AP************ | на замовлення 25000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
|   | NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності |