NDT452AP onsemi


ndt452ap-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+25.66 грн
8000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT452AP onsemi

Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції NDT452AP за ціною від 26.83 грн до 107.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.52 грн
12000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.61 грн
4000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.08 грн
11+69.79 грн
25+69.03 грн
100+51.52 грн
250+47.23 грн
500+38.11 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI ndt452ap-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.90 грн
6+78.43 грн
10+68.98 грн
50+48.84 грн
100+42.04 грн
250+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP onsemi ndt452ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.59 грн
100+43.62 грн
500+32.08 грн
1000+29.23 грн
2000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP onsemi / Fairchild ndt452ap-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 21513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP MULTICOMP PRO 4419350.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 33539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP MULTICOMP PRO 4419350.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 33539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP Fairchild/ON Semiconductor ndt452ap-d.pdf P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.52 грн
12000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
411+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
401+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+46.61 грн
4000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+85.08 грн
11+69.79 грн
25+69.03 грн
100+51.52 грн
250+47.23 грн
500+38.11 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.90 грн
6+78.43 грн
10+68.98 грн
50+48.84 грн
100+42.04 грн
250+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.71 грн
10+65.59 грн
100+43.62 грн
500+32.08 грн
1000+29.23 грн
2000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 21513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 4419350.pdf
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 2304419.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 33539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 4419350.pdf
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 2304419.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 33539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.