NDT452AP MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 7510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.51 грн |
| 500+ | 12.38 грн |
| 1000+ | 10.14 грн |
| 5000+ | 8.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT452AP MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDT452AP за ціною від 8.78 грн до 107.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDT452AP | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V |
на замовлення 8334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDT452AP | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 21513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDT452AP | Виробник : ONSEMI |
NDT452AP SMD P channel transistors |
на замовлення 3922 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NDT452AP************ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
NDT452AP Код товару: 36888
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
| NDT452AP | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R). SOT-223 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NDT452AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |