Інші пропозиції NDT452AP за ціною від 22.51 грн до 105.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDT452AP | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NDT452AP | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 3W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhancement Drain current: -5A On-state resistance: 0.13Ω Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2506 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NDT452AP | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 50720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NDT452AP | onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 21513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
NDT452AP | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NDT452AP | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 68 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDT452AP | Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NDT452AP************ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDT452AP |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 25.09 грн |
| 8000+ | 22.51 грн |
| NDT452AP |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -5A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -5A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 100.90 грн |
| 6+ | 78.43 грн |
| 10+ | 68.98 грн |
| 50+ | 48.84 грн |
| 100+ | 42.04 грн |
| 250+ | 39.05 грн |
| NDT452AP |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.39 грн |
| 10+ | 64.10 грн |
| 100+ | 42.62 грн |
| 500+ | 31.35 грн |
| 1000+ | 28.57 грн |
| 2000+ | 26.23 грн |
| NDT452AP |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 21513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NDT452AP |
|
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT452AP |
|
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT452AP |
|
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.71 грн |
| NDT452AP************ |
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)