Інші пропозиції NDT452AP за ціною від 24.57 грн до 159.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDT452AP | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V |
на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 112000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 112000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V |
на замовлення 35404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | onsemi |
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 37507 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NDT452AP | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NDT452AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 23109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NDT452AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 23109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NDT452AP | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NDT452AP | Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NDT452AP************ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 27.38 грн |
| 8000+ | 24.57 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 32.67 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 32.92 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 34.14 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 34.14 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 54.95 грн |
| 4000+ | 43.80 грн |
| 8000+ | 43.68 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 143+ | 99.82 грн |
| 192+ | 74.52 грн |
| 215+ | 66.36 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 105.76 грн |
| 6+ | 74.94 грн |
| 10+ | 64.62 грн |
| 23+ | 42.83 грн |
| 50+ | 42.75 грн |
| 61+ | 40.44 грн |
| 500+ | 38.87 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 35404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.98 грн |
| 10+ | 65.44 грн |
| 50+ | 48.83 грн |
| 100+ | 40.81 грн |
| 500+ | 31.98 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 113.55 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 126+ | 113.55 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 37507 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.89 грн |
| 10+ | 54.16 грн |
| 100+ | 41.98 грн |
| 500+ | 32.91 грн |
| 1000+ | 31.45 грн |
| 2000+ | 31.37 грн |
| 4000+ | 25.30 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 159.46 грн |
| 10+ | 100.59 грн |
| 50+ | 75.09 грн |
| 100+ | 64.48 грн |
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT452AP |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.71 грн |
| NDT452AP************ |
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)







