NDT452AP


ndt452ap-d.pdf
Код товару: 36888
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NDT452AP за ціною від 24.57 грн до 159.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDT452AP NDT452AP onsemi ndt452ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.38 грн
8000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.95 грн
4000+43.80 грн
8000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.82 грн
192+74.52 грн
215+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI ndt452ap-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.76 грн
6+74.94 грн
10+64.62 грн
23+42.83 грн
50+42.75 грн
61+40.44 грн
500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP onsemi ndt452ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 35404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.98 грн
10+65.44 грн
50+48.83 грн
100+40.81 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP onsemi ndt452ap-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 37507 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+116.89 грн
10+54.16 грн
100+41.98 грн
500+32.91 грн
1000+31.45 грн
2000+31.37 грн
4000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.46 грн
10+100.59 грн
50+75.09 грн
100+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP MULTICOMP PRO 4419350.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP MULTICOMP PRO 4419350.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP Fairchild/ON Semiconductor ndt452ap-d.pdf P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.38 грн
8000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+54.95 грн
4000+43.80 грн
8000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+99.82 грн
192+74.52 грн
215+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.76 грн
6+74.94 грн
10+64.62 грн
23+42.83 грн
50+42.75 грн
61+40.44 грн
500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 35404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.98 грн
10+65.44 грн
50+48.83 грн
100+40.81 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 37507 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.89 грн
10+54.16 грн
100+41.98 грн
500+32.91 грн
1000+31.45 грн
2000+31.37 грн
4000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+159.46 грн
10+100.59 грн
50+75.09 грн
100+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 4419350.pdf
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 2304419.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 2304419.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 4419350.pdf
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.