Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > NDT452AP

NDT452AP

ndt452ap-d.pdf
Код товару: 36888
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NDT452AP за ціною від 23.03 грн до 107.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDT452AP NDT452AP onsemi ndt452ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.66 грн
8000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.52 грн
12000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.61 грн
4000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.08 грн
11+69.79 грн
25+69.03 грн
100+51.52 грн
250+47.23 грн
500+38.11 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI ndt452ap-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.90 грн
6+78.43 грн
10+68.98 грн
50+48.84 грн
100+42.04 грн
250+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP onsemi ndt452ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.59 грн
100+43.62 грн
500+32.08 грн
1000+29.23 грн
2000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP onsemi / Fairchild ndt452ap-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 21513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP MULTICOMP PRO 4419350.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 33539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP MULTICOMP PRO 4419350.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP NDT452AP ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 33539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP Fairchild/ON Semiconductor ndt452ap-d.pdf P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
NDT452AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+25.66 грн
8000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.52 грн
12000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
411+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
401+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+46.61 грн
4000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452apjp-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+85.08 грн
11+69.79 грн
25+69.03 грн
100+51.52 грн
250+47.23 грн
500+38.11 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
NDT452AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.90 грн
6+78.43 грн
10+68.98 грн
50+48.84 грн
100+42.04 грн
250+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
NDT452AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.71 грн
10+65.59 грн
100+43.62 грн
500+32.08 грн
1000+29.23 грн
2000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
NDT452AP
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 21513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 4419350.pdf
NDT452AP
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 2304419.pdf
NDT452AP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 33539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 4419350.pdf
NDT452AP
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP 2304419.pdf
NDT452AP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 33539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT452AP************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.