Продукція > NTB > NTB125N02RT4G

NTB125N02RT4G


ntb125n02r-d.pdf
Виробник:

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB125N02RT4G

Description: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Інші пропозиції NTB125N02RT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTB125N02RT4G NTB125N02RT4G Виробник : onsemi ntb125n02r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.