NTB125N02RT4G
Виробник: на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB125N02RT4G
Description: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTB125N02RT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTB125N02RT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |