Продукція > NTB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB | Weller | Soldering Irons Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB | WELLER | Description: WELLER - NTB - Lötspitze, meißelförmig, 2.4mm Breite der Spitze/Düse: 0 Spitze/Düse: 0 Zur Verwendung mit: Mikro-Lötkolben WMP von Weller Produktpalette: 0 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB | Apex Tool Group B.V. | Soldering Tips For micro soldering pencil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C145B | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 420mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C145G | NEW TRY | Description: LED ENG GREEN LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Green Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 420mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C145R | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 420mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C145W | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 420mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C145W-A | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 420mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C220B | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 230.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 530mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 220.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C220G | NEW TRY | Description: LED ENG GREEN LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Green Size / Dimension: 230.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 530mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 220.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C220R | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 230.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 530mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 220.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C220W | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 230.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 530mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 220.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C295R | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 305.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 720mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 295.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C295W | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 305.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 720mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 295.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C370B | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 308.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 950mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 370.00mm L x 14.00mm W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C370G | NEW TRY | Description: LED ENG GREEN LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Green Size / Dimension: 308.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 950mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 370.00mm L x 14.00mm W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C370R | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 308.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 950mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 370.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C370W | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 308.00mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 950mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 370.00mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C445B | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE Packaging: Case Color: Blue Type: LED Engine Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C445G | NEW TRY | Description: LED ENG GREEN Packaging: Case Color: Green Type: LED Engine Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C445R | NEW TRY | Description: LED ENG RED Packaging: Case Color: Red Type: LED Engine Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C445W | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE Packaging: Case Color: White Type: LED Engine Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB-C75B | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 80.50mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 210mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 72.50mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C75G | NEW TRY | Description: LED ENG GREEN LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Green Size / Dimension: 80.50mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 210mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 72.50mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C75R | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 80.50mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 210mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 72.50mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-C75W | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 80.50mm L x 21.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 29.00mm Current - Test: 210mA Lens Type: Flat Light Emitting Surface (LES): 72.50mm L x 14.00mm W Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D149B-P | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 155.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 430mA Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D149R-P | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 155.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 270mA Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D149W-P | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 155.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 430mA Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D298B-P | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 304.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 870mA Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D298R-P | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 304.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 520mA Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D298W-P | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 304.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 870mA Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D447B-P | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 453.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 1.29A Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D447R-P | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 453.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 780mA Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D447W-P | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 453.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 1.29A Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D596B-P | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 602.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 1.68A Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D596R-P | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 602.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 1A Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D596W-P | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 602.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 1.68A Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D745B-P | NEW TRY | Description: LED ENG BLUE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Blue Size / Dimension: 751.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 2A Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D745R-P | NEW TRY | Description: LED ENG RED LINEAR STRIP Packaging: Case Color: Red Size / Dimension: 751.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 1.2A Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB-D745W-P | NEW TRY | Description: LED ENG WHITE LINEAR STRIP Packaging: Case Color: White Size / Dimension: 751.00mm L x 25.00mm W Type: LED Engine Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play Height: 31.50mm Current - Test: 2A Lens Type: Flat Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 201A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 175nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 3002A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V | на замовлення 90300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 201A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 175nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 3002A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V | на замовлення 89967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | onsemi | MOSFETs MV5 SOAFET 42MOHM 100V N-FET D2PAK | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ON Semiconductor | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB004N10G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP | Description: NXP - NTB0101AGWH - Logik, Transceiver, Umsetzung, Produktfamilie NTB0101A, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SC-88-6 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: SC-88 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: NTB0101A Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP | Description: NXP - NTB0101AGWH - Logik, Transceiver, Umsetzung, Produktfamilie NTB0101A, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SC-88-6 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: SC-88 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: NTB0101A Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101AGWH | NXP Semiconductors | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: SOT-363 Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 2.3 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GF | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB0101GF,132 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels 4.2ns 6.5V 250mW OD | на замовлення 7930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GF,132 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GF,132 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GF,132 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GF,132 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | на замовлення 4853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GM | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB0101GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | на замовлення 4971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GM,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GM,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GM,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels 4.2ns 5.5V 250mW OD | на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GM,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GN,132 | NXP USA Inc. | Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1115 (0.9x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GN,132 | NXP USA Inc. | Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1115 (0.9x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GN132 | NXP USA Inc. | Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GS,132 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Transceiver Dual Supply | на замовлення 4035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GS,132 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 6-XSON/SOT1202 Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1202 (1x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GS,132 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 6-XSON/SOT1202 Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1202 (1x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GS132 | NXP USA Inc. | Description: LINE TRANSCEIVER | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GS1XL | NXP USA Inc. | Description: IC PWR 1BIT BIDIRECTION 6X2SON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GS1Z | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6X2SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-X2SON (1x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GS1Z | NXP | Description: NXP - NTB0101GS1Z - Logik, Transceiver, Umsetzung, Produktfamilie NTB0101, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, X2SON-6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GS1Z | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GS1Z | NXP | Description: NXP - NTB0101GS1Z - Logik, Transceiver, Umsetzung, Produktfamilie NTB0101, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, X2SON-6 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: X2SON MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: NTB0101 Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GS1Z | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6X2SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-X2SON (1x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | на замовлення 9680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GS1Z | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels 1bit bidirection push-pull xlator | на замовлення 8922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GW,125 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Not For New Designs Number of Circuits: 1 | на замовлення 3343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GW,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GW,125 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 6-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Not For New Designs Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GW,125 | NXP | Description: NXP - NTB0101GW,125 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, SC-88-6 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: NT Bauform - Logikbaustein: SC-88 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.2 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GW,125 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Transceiver Dual Supply | на замовлення 7553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GW,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 6866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0101GW,125 | NXP | Description: NXP - NTB0101GW,125 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, SC-88-6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GW-Q100H | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GW-Q100H | NXP USA Inc. | Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GW-Q100H | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional Automotive 6-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0101GW-Q100H | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 1-CH Bidirectional Automotive 6-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP | NXP | Voltage Level Translation Bidirectional Dual supply; 100Mbps; 250mW; 1,65V~5,5V; -40°C~85°C; Substitute: NTB0102DP,125; NTB0102DP UINTB0102dp кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102DP,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP,125 | NXP | Description: NXP - NTB0102DP,125 - Pegelumsetzer, Transceiver, 2 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, TSSOP-8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP,125 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 8-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102DP,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP,125 | NXP | Description: NXP - NTB0102DP,125 - Pegelumsetzer, Transceiver, 2 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, TSSOP-8 Bauform - Logikbaustein: TSSOP Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logiktyp: Umsetzender Transceiver Ausbreitungsverzögerung: 5.9 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 2 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP,125 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels 4.4ns 6.5V 250mW | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102DP,125 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 8-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 6109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102DP-Q100125 | NXP USA Inc. | Description: DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP-Q100H | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Grade: Automotive Part Status: Active Number of Circuits: 1 Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102DP-Q100H | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional Automotive 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP-Q100H | NXP | Description: NXP - NTB0102DP-Q100H - Pegelumsetzer, Transceiver, AEC-Q100, 2 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, TSSOP-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logiktyp: Umsetzender Transceiver euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Ausbreitungsverzögerung: 5.9ns Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102DP-Q100H | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr | на замовлення 5371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102DP-Q100H | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Grade: Automotive Part Status: Active Number of Circuits: 1 Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 30809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102DP-Q100H | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional Automotive 8-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102DP-Q100H | NXP | Description: NXP - NTB0102DP-Q100H - Pegelumsetzer, Transceiver, AEC-Q100, 2 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, TSSOP-8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GD,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GD,125 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GD,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GD,125 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GD,125 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102GD,125 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Transceiver Dual Supply | на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GD-Q100 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator Automotive 8-Pin XSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GD-Q100H | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GD-Q100H | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GF | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB0102GF,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GF,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON | на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102GF,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels DUAL XCVR AUTO DRECT SENSING; 3-STATE | на замовлення 4478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102GF,115 | NXP USA Inc. | Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GF,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GT | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB0102GT,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels DUAL SUPP 4.8ns 3.6V | на замовлення 18825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102GT,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R | на замовлення 8788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102GT,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102GT,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 8-XSON/SOT833-1 Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-XSON, SOT833-1 (1.95x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Not For New Designs Number of Circuits: 1 | на замовлення 5332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102GT,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 8-XSON/SOT833-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-XSON, SOT833-1 (1.95x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Not For New Designs Number of Circuits: 1 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102GT,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102JKZ | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Tri-State Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-X2SON (1.35x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0102JKZ | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels NTB0102JK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102JKZ | NXP Semiconductors | NTB0102JK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0102JKZ | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Output Type: Tri-State Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 8-X2SON (1.35x1) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 2 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB0104BQ,115 | NXP | Description: NXP - NTB0104BQ,115 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, DHVQFN-14 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NT Bauform - Logikbaustein: DHVQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 14-DHVQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 14-DHVQFN (2.5x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels 4.2ns 5.5V 250mW OD Transceiver | на замовлення 47251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 14-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ,115 | NXP | Description: NXP - NTB0104BQ,115 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, DHVQFN-14 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NT Bauform - Logikbaustein: DHVQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 14-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 14-DHVQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 14-DHVQFN (2.5x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 11008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 14-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100115 | NXP USA Inc. | Description: DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100X | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 14-Pin DHVQFN EP T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100X | NXP | Description: NXP - NTB0104BQ-Q100X - Pegelumsetzer, Transceiver, AEC-Q100, 4 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, DHVQFN-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: DHVQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logiktyp: Umsetzender Transceiver euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Ausbreitungsverzögerung: 5.9ns Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100X | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 14-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100X | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 14DHVQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 14-DHVQFN (2.5x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Grade: Automotive Part Status: Active Number of Circuits: 1 Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 3381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100X | NXP | Description: NXP - NTB0104BQ-Q100X - Pegelumsetzer, Transceiver, AEC-Q100, 4 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, DHVQFN-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: DHVQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logiktyp: Umsetzender Transceiver euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Ausbreitungsverzögerung: 5.9ns Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100X | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 14-Pin DHVQFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100X | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr | на замовлення 3374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104BQ-Q100X | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 14DHVQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 14-DHVQFN (2.5x3) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Grade: Automotive Part Status: Active Number of Circuits: 1 Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104GU12 | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB0104GU12,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 12-XQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-XFQFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 12-XQFN (2x1.7) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104GU12,115 | NXP | Description: NXP - NTB0104GU12,115 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, XQFN-12 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NT Bauform - Logikbaustein: XQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 12Pins Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 21387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104GU12,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin XQFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104GU12,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels DUAL SUPP 4.8ns 3.6V | на замовлення 26825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104GU12,115 | NXP USA Inc. | Description: IC XLTR VL BIDIR 12-XQFN Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-XFQFN Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 12-XQFN (2x1.7) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 33963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104GU12,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin XQFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104GU12,115 | NXP | Description: NXP - NTB0104GU12,115 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, XQFN-12 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NT Bauform - Logikbaustein: XQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 12Pins Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 21387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104GU12,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin XQFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK | NXP USA Inc. | Description: DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK,012 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state | на замовлення 6616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104UK,012 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK,012 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 12WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 12-UFBGA, WLCSP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK,012 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK,012 | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 12WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 12-UFBGA, WLCSP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK,012 | NXP | Description: NXP - NTB0104UK,012 - Pegelumsetzer, Transceiver, 4 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, WLCSP-12 Bauform - Logikbaustein: WLCSP Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logiktyp: Umsetzender Transceiver Ausbreitungsverzögerung: 5.9 Anzahl der Pins: 12 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 4 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 3266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104UK,012 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104UK,023 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 12-Pin WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK-Q100Z | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 12WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 12-UFBGA, WLCSP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Last Time Buy Number of Circuits: 1 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK-Q100Z | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 12-Pin WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK-Q100Z | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 12-Pin WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB0104UK-Q100Z | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state | на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB0104UK-Q100Z | NXP USA Inc. | Description: IC TRANSLATOR BIDIR 12WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Data Rate: 100Mbps Supplier Device Package: 12-UFBGA, WLCSP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 4 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V Part Status: Last Time Buy Number of Circuits: 1 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB011N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136.4W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB011N15MC | onsemi | MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 75.4 A | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB011N15MC | onsemi | Description: NTB011N15MC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB011N15MC | ONSEMI | NTB011N15MC SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB011N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75.4 A, 0.0087 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136.4W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB011N15MC | onsemi | Description: NTB011N15MC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB02-009MV | YAGEO | Description: ICL 9 OHM 20% 2A 7.5MM Tolerance: ±20% Packaging: Box Diameter: 0.295" (7.50mm) Lead Spacing: 0.197" (5.00mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 2 A R @ 25°C: 9 Ohms R @ Current: 425 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB02-010MV | YAGEO | Description: YAGEO - NTB02-010MV - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 5mm, 2A tariffCode: 85334010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Zulassungen: TÜV, UL Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 2A euEccn: NLR Maximale Nennenergie bei 25°C: - Widerstand (25°C): 10ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Scheibengröße: 5mm usEccn: EAR99 Produktpalette: NT Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB02-010MV | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,5mm, 10ohm 2A +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG | на замовлення 6063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V | на замовлення 4281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ONSEMI | NTB082N65S3F SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: D2PAK On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Drain current: 36A Power dissipation: 272W кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: D2PAK On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 66nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Drain current: 36A Power dissipation: 272W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB095N65S3HF | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB1024 | Boca Bearing Company | Description: 10X24X2MM THRUST BEARING Packaging: Bulk Type: Thrust Bearing Outer Diameter: 0.945" (24.00mm) Inner Diameter: 0.394" (10.00mm) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB10N40 | Motorola | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB10N40E | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB10N60 | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 62nC кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 62nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, D2PAK | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ON Semiconductor | на замовлення 2094 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V | на замовлення 14328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB110N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02R | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02R | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02R | ON | SOT-263 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02R | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02RG | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB125N02RG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02RT4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02RT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 125A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB125N02RT4G | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB125N2 | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB12N50 | Motorola | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB12N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB12N50 | на замовлення 8646 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB12N50T4 | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB12N50T4 | на замовлення 5589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB13N10 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB13N10 | ON | SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB13N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 64.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB13N10G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB13N10G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 64.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB13N10T4 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB13N10T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 64.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB13N10T4G | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB150N65S3HF | ON Semiconductor | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB150N65S3HF | onsemi | MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB150N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB150N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB150N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 192W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.15Ω кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB150N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB150N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 192W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 0.15Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB1730 | Boca Bearing Company | Description: 17X30X2MM THRUST BEARING Packaging: Bulk Type: Thrust Bearing Outer Diameter: 1.181" (30.00mm) Inner Diameter: 0.669" (17.00mm) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06 | onsemi | MOSFETs 60V 15A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06 | ON | SOT-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB18N06G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06G | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB18N06G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB18N06G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB18N06G - NTB18N06G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB18N06L | ON | SOT-263 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06L | onsemi | MOSFETs 60V 15A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06L | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06L(N.TB) | на замовлення 194 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB18N06LG | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB18N06LG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06LT4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06LT4G | ON | 0522+ | на замовлення 2627 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06LT4G | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06T4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB18N06T4 | на замовлення 26386 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB18N06T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06T4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB18N06T4 - NTB18N06T4, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB18N06T4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB18N06T4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB18N06T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB18N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB18N06T4G | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB190N65S3HF | ONSEMI | NTB190N65S3HF SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB190N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.161 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB190N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB190N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB190N65S3HF | ON Semiconductor | на замовлення 639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB190N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.161 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB190N65S3HF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V | на замовлення 3896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB190N65S3HF | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB1N100 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB22N06 | на замовлення 2729 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB22N06 | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB22N06L | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB22N06LG | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB22N06LT4 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB22N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 11A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB22N06T4 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB22N06T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB22N06T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB23N03R | ON | SOT-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03R | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03R | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB23N03R - 6A, 25V, 0.06OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB23N03R | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03R | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03R | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | на замовлення 8250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB23N03RG | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03RG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03RG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB23N03RG - NTB23N03RG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB23N03RG | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03RG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | на замовлення 12350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB23N03RT4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03RT4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03RT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | на замовлення 174372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB23N03RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | на замовлення 11894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB23N03RT4G | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB23N03RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06 | onsemi | MOSFET -60V -27.5A Pchannel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06 | ON | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06G | ON | 08+ | на замовлення 392 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06G | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | onsemi | MOSFETs -60V -27.5A Pchannel | на замовлення 6332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -27.5A On-state resistance: 75mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 120W Case: D2PAK кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -27.5A On-state resistance: 75mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 120W Case: D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB27N06 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB27N06 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB27N06LG | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB27N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 13.5A, 5V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB27N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 13.5A, 5V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V | на замовлення 20028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB27N06T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB27N06T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB27N06T4G | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB3055V | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB30N06 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06 | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06 | ON | SOT-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB30N06G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06L | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06L | ON | SOT-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06L | onsemi | MOSFETs 60V 30A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06L | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06LG | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB30N06LG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06LT4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06LT4G | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB30N06T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N06T4G | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB30N20 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20 | onsemi | MOSFETs 200V 30A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20 | ON | SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20T4 | onsemi | MOSFETs 200V 30A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20T4G | ON | 0848 | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20T4G | onsemi | MOSFETs 200V 30A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB30N20T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15 | ON | SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15G | ON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB35N15T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15T4 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15T4G | ON Semiconductor | MOSFET 150V 37A N-Channel | на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB35N15T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB36N06 | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB3N120E | ON | TO-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302 | ON | SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302T4 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4302T4G | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB45N06 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06 | onsemi | MOSFETs 60V 45A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06 | ON | SOT-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06G | ON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB45N06G | onsemi | MOSFETs 60V 45A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06G | ON | D2PAK | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06L | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06L | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06L | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06L | ON | SOT-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LG | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LG | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LG | ON | 07+; | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LT4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LT4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LT4G | ON Semiconductor | MOSFET 60V 45A N-Channel | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06T4 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06T4 | onsemi | MOSFET 60V 45A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06T4G | onsemi | MOSFET 60V 45A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB45N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB4N40E | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB50N06EL | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB52N10 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10 | ON | SOT-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10G | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB52N10G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10T4G | ON | 08+ | на замовлення 786 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10T4G | onsemi | MOSFET 100V 52A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB52N10T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5404NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 167A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5404NT4G | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB5405NG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5405NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5405NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 40V 116A PB | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5405NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB5411NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5411NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5412NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5412NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB5412NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5426NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | на замовлення 7636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605P | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605P | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605P | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605P | ON | SOT-263 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605P | ON | 09+ SMA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605PG | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605PG | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605PT4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605PT4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605PT4 | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605PT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | на замовлення 3765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605PT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605PT4G | ON Semiconductor | MOSFET -60V -18.5A P-Channel | на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5605T4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5D0N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 214W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB5D0N15MC | onsemi | Description: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB5D0N15MC | onsemi | MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A | на замовлення 5329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB5D0N15MC | ONSEMI | NTB5D0N15MC SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB5D0N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB5D0N15MC | onsemi | Description: MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V | на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB5D0N15MC | ON Semiconductor | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB60N06 | onsemi | MOSFETs 60V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06 | ON | SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06G | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06G | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06G | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06L | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06L | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06L | ON | SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LG | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LT4 | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LT4G | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LT4G | на замовлення 520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB60N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06LT4GOS | onsemi | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4 | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4G | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4G | onsemi | MOSFET 60V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB60N06T4GOS | onsemi | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6410ANG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6410ANT4G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 305A Mounting: SMD Case: D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6410ANT4G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 305A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6410ANT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6410ANT4G | ON Semiconductor | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB6410ANT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6410ANT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6410ANT4G | onsemi | MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH | на замовлення 2350 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6411ANG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB6411ANG - NTB6411ANG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6411ANG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6411ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6411ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6411ANT4G | onsemi | MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6411ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6411ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6411ANT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB6411ANT4G - NTB6411ANT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6411ANT4G | ON Semiconductor | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB6412ANG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6412ANG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6412ANG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6412ANG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | на замовлення 6810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6412ANG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6412ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6412ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6412ANT4G | ON Semiconductor | на замовлення 2192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB6412ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6412ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6413ANG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6413ANG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6413ANT4G | ON Semiconductor | на замовлення 540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB6413ANT4G | onsemi | MOSFETs NFET D2PAK 100V 40A 30MO | на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6413ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 31592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6413ANT4G | ONSEMI | NTB6413ANT4G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6413ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 31200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6448ANG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6448ANT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02R | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02R | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02R | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02R | ON | SOT-263 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02RG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02RT4 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02RT4 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02RT4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02RT4 | ON | SOT263 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB65N02RT4G | на замовлення 442 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB65N02RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB65N02RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB6N60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB6N60 - 6A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6N60 | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 9939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB6N60T4 | Motorola | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB75N03-006 | ON | SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-006 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-006 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-06 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-06 | ON | 09+ BGA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-06 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-06T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-06T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-6G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03-6T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09 | onsemi | MOSFET 30V 75A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09 | ON | SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09G | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09G | onsemi | MOSFET 30V 75A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09G | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09T4 | onsemi | MOSFET 30V 75A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09T4G | onsemi | MOSFET 30V 75A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03L09T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03R | ON | SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03R | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03R | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03R | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03RG | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB75N03RG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V | на замовлення 89600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4G | ON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V | на замовлення 4166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 12.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N03RT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 12.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06 | onsemi | MOSFET 60V 75A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06 | ON | SOT-263 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06G | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06G | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06G | onsemi | MOSFET 60V 75A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06L | ON | SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06L | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06LG | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB75N06LG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06LT4G | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB75N06T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06T4G | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06T4G | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB75N06T4GOS | onsemi | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB7D3N15MC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 488A; 166W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 101A Pulsed drain current: 488A Power dissipation: 166W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB7D3N15MC | onsemi | Description: NTB7D3N15MC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB7D3N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB7D3N15MC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 488A; 166W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 101A Pulsed drain current: 488A Power dissipation: 166W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB7D3N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 15.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB7D3N15MC | onsemi | Description: NTB7D3N15MC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB7D3N15MC | onsemi | MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A | на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB7D3N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB85N03 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03 | ON | TO-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03 | ON | SOT-263 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03G | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB85N03G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB85N03T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03T4G | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB85N03T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB85N03TB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB8N50 | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB90N02 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02G | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB90N02G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02T | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTB90N02T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB90N02T4 | ON | 07+; | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02T4 | ON | 07+ TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02T4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02T4 | ON | TO-263/D2-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V | на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTB90N02T4G | ON | 10+ BGA | на замовлення 4600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N02T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N20 | ON | 07+ SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTB90N20 | ON | SOT-263 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBA104BQ,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBA104GU12 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBA104GU12,115 | NXP Semiconductors | Voltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin XQFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBA104GU12,115 | NXP USA Inc. | Description: VOLTAGE LEVEL TRANSLATOR BIDIREC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBA104GU12,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBA104GU16,115 | NXP Semiconductors | Translation - Voltage Levels | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBA1520002T | Amphenol ICC (Commercial Products) | Description: NTBA1520002T Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ON Semiconductor | SiC MOSFET 1200 V 14 mohm | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ONSEMI | NTBG014N120M3P SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | onsemi | Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V | на замовлення 8793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | onsemi | Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L | на замовлення 1539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG014N120M3P | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 422A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 103A Pulsed drain current: 422A Power dissipation: 250W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 283nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V | на замовлення 3957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V | на замовлення 5689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 176A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 422A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 103A Pulsed drain current: 422A Power dissipation: 250W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 283nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | ONSEMI | NTBG020N090SC1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 477W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 477W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8.6A Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 3.7W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.22µC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 571 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V | на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 98A, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 98 hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 MOSFET-Modul-Konfiguration: Single euEccn: NLR Verlustleistung: 468 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V | на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG020N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8.6A Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 3.7W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.22µC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG022N120M3S | onsemi | Description: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V | на замовлення 12370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG022N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V | на замовлення 909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG022N120M3S | onsemi | Description: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG022N120M3S | ON Semiconductor | SiC MOSFET 1200 V 22 mohm | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG022N120M3S | ONSEMI | NTBG022N120M3S SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG023N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG023N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG023N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S | на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG025N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG025N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG025N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Pulsed drain current: 284A Power dissipation: 197W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG025N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V | на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG025N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V | на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG025N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG025N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Pulsed drain current: 284A Power dissipation: 197W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG025N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG028N170M1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L | на замовлення 1176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG028N170M1 | onsemi | Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 428W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG028N170M1 | onsemi | Description: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 428W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V | на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG028N170M1 | ON Semiconductor | SiC MOSFET 1700 V 28 mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG028N170M1 | ONSEMI | NTBG028N170M1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG030N120M3S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A Pulsed drain current: 207A Power dissipation: 174W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 107nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG030N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG030N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG030N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG030N120M3S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A Pulsed drain current: 207A Power dissipation: 174W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 107nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG030N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3 | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG030N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG030N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG032N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V | на замовлення 8495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG032N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG032N065M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG032N065M3S | ON Semiconductor | SiC MOS D2PAK-7L 32mohm 650V M3S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG040N120M3S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 149A Power dissipation: 131W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG040N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V | на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG040N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3 | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG040N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG040N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG040N120M3S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 149A Power dissipation: 131W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V | на замовлення 35748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false usEccn: Unknown Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Single euEccn: Unknown Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V | на замовлення 35200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG040N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG045N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG045N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V | на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG045N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V | на замовлення 4216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 62A Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 242W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG045N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 121W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG045N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 121W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG060N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG060N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG060N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG060N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK-7 Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 74nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 130A Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG060N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK-7 Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 74nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 130A Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG060N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V | на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG060N090SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBG060N090SC1 | onsemi | Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG060N090SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS 60MOHM 900V | на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG060N090SC1 | ONSEMI | NTBG060N090SC1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG060N090SC1 | ON Semiconductor | SiC Power, Single N-Channel MOSFET | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG060N090SC1 | onsemi | Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V | на замовлення 9126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG070N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG070N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V | на замовлення 1138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG070N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG070N120M3S | ONSEMI | NTBG070N120M3S SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG070N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG070N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG080N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 179W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG080N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V | на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG080N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG080N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG080N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L | на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG080N120SC1 | ONSEMI | NTBG080N120SC1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG1000N170M1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG1000N170M1 | ONSEMI | NTBG1000N170M1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG1000N170M1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V | на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG1000N170M1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | ONSEMI | NTBG160N120SC1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V | на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 19.5 hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Single euEccn: NLR Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBG160N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V | на замовлення 2242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS001N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 342A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS001N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS001N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 42A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS001N06C | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, 60 V, 1.1 mohm, 342 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.0 m?, 363 A, Single N-Channel, D2PAK7 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS001N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 342A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS001N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS002N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 45A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 225µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS002N06C | onsemi | MOSFET Power MOSFET, 60 V, 2.2 m?, 211 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 2.0 m?, 252 A, Single N-Channel, D2PAK7 | на замовлення 800 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS002N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 45A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 225µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS002N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | onsemi | Description: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V | на замовлення 138917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | ONSEMI | NTBGS004N10G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 21A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | onsemi | Description: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V | на замовлення 138400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | onsemi | MOSFETs Power MOSFET 203 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement - Mode D2PAK 7L | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS1D2N08H | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS1D5N06C | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, 60 V, 1.62 mohm, 267 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.5 m?, 294 A, Single N-Channel, D2PAK7 | на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS1D5N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V | на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS1D5N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 0.00123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 211W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS1D5N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V | на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS1D5N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 0.00123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS2D5N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS2D5N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS2D5N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS2D5N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 27A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS2D5N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS2D5N06C | onsemi | MOSFET NFET D2PAK7 60V 2.5MO | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS3D5N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS3D5N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS3D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 127 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS3D5N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 24A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 122µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 30 V | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS3D5N06C | onsemi | MOSFET NFET D2PAK7 60V 3.5MO | на замовлення 682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS3D5N06C | onsemi | Description: POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 24A, 12V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 122µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS3D5N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS3D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 127 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 115W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | onsemi | MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL | на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | ONSEMI | NTBGS4D1N15MC SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V | на замовлення 46945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | ON Semiconductor | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBGS4D1N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V | на замовлення 46400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | ON Semiconductor | на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | ONSEMI | NTBGS6D5N15MC SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | onsemi | MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL | на замовлення 1337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBGS6D5N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V | на замовлення 12530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBKBAG156 | STARTECH | Description: STARTECH - NTBKBAG156 - Laptop-Rucksack, 1680d ballistisches Nylon, 324mm x 203mm x 425mm, schwarz tariffCode: 42021110 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 16.7" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außentiefe - metrisch: 324mm Außenhöhe - metrisch: 425mm Außentiefe - imperial: 12.8" euEccn: NLR Gehäusefarbe: Schwarz Außenbreite - metrisch: 203mm Koffermaterial: 1680d ballistisches Nylon Produktpalette: - productTraceability: No Außenbreite - Zoll: 8" SVHC: To Be Advised | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBKBAG173 | STARTECH | Description: STARTECH - NTBKBAG173 - Laptop-Rucksack, 1680d ballistisches Nylon, 335.3mm x 195.6mm, 449.6 mm tariffCode: 42021291 rohsCompliant: NO Außenhöhe - imperial: 17.7" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Außentiefe - metrisch: 335.3mm Außenhöhe - metrisch: 449.6mm Außentiefe - imperial: 13.2" euEccn: NLR Gehäusefarbe: - Außenbreite - metrisch: 195.6mm Koffermaterial: 1680d ballistisches Nylon Produktpalette: - productTraceability: No Außenbreite - Zoll: 7.7" SVHC: To Be Advised | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL023N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S | на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL032N065M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1396 pF @ 400 V | на замовлення 15995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL045N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 51A Pulsed drain current: 182A Power dissipation: 174W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL045N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 51A Pulsed drain current: 182A Power dissipation: 174W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL045N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22.6V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V | на замовлення 37784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL045N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL | на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL045N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22.6V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL048N60S5H | onsemi | Description: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 297W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5.6mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5277 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL050N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL050N65S3H | onsemi | Description: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V | на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL050N65S3H | onsemi | MOSFETs SF3 650V FAST 50MOHM TOLL | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL050N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 49A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL050N65S3H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 305W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 132A Drain-source voltage: 650V Drain current: 49A On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL050N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 305W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0425ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL050N65S3H | onsemi | Description: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL050N65S3H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 305W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 132A Drain-source voltage: 650V Drain current: 49A On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL060N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL | на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL060N065SC1 | onsemi | Description: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V | на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL060N065SC1 | onsemi | Description: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL070N65S3 | onsemi | Description: SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL070N65S3 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL070N65S3 | ON Semiconductor | Power MOSFET, N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL070N65S3 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL070N65S3 | onsemi | Description: SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL070N65S3 | onsemi | MOSFETs SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENSE TOLL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL075N065SC1 | onsemi | Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 139W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL075N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL | на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL075N065SC1 | onsemi | Description: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 139W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V | на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL080N60S5H | onsemi | Description: MOSFET - POWERNCHANNEL, SUPERFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 3.3mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL082N65S3HF | onsemi | Description: NTBL082N65S3HF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL082N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL082N65S3HF | onsemi | Description: NTBL082N65S3HF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL082N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 313W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL082N65S3HF | onsemi | MOSFETs SF3 650V FRFET HF 82MOHM KELVIN SENSE TOLL | на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBL095N65S3H | onsemi | Description: SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL095N65S3H | onsemi | Description: SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL100N60S5H | onsemi | Description: MOSFET - POWER,CHANNEL, SUPERFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.7mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2616 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBL125N60S5H | onsemi | Description: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.1mA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS001N06C | ON Semiconductor | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBLS001N06C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V | на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS001N06C | onsemi | MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS001N06C | ONSEMI | NTBLS001N06C SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS001N06C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS001N06C | ON Semiconductor | Power MOSFET 60 V, 1 mW, 297 A, Single N-Channel, TOLL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS002N08MC | onsemi | MOSFETs PTNG 80V | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS002N08MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS002N08MC | ON Semiconductor | N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS002N08MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D7N06C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS0D7N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 470A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 314W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D7N06C | ON Semiconductor | на замовлення 1965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBLS0D7N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 470A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 314W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D7N06C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D7N06C | onsemi | MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D8N08XTXG | ON Semiconductor | MOSFET - Power, SingleN-Channel, TOLL80 V, 0.79 mOhm, 457 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS0D8N08XTXG | onsemi | Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS0D8N08XTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 457A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D8N08XTXG | onsemi | MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL | на замовлення 6628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D8N08XTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 457A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D8N08XTXG | onsemi | Description: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS0D8N08XTXG | ONSEMI | NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 311W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 166nC On-state resistance: 1.05mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 351A Pulsed drain current: 900A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | ON Semiconductor | Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | ON Semiconductor | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | ON Semiconductor | Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 311W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 166nC On-state resistance: 1.05mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 351A Pulsed drain current: 900A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 351 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 311 Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | onsemi | MOSFETs T8-80V IN TOLL | на замовлення 4983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D1N08H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V | на замовлення 3823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N08MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 0.0013 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 298A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N08MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V | на замовлення 13400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N08MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N08MC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.9W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 111nC On-state resistance: 1.53mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 298A Pulsed drain current: 4487A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N08MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 0.0013 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 298A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N08MC | onsemi | MOSFETs PTNG 80V IN TOLL | на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N08MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N08MC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.9W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 111nC On-state resistance: 1.53mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 298A Pulsed drain current: 4487A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 161W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.5mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 312A Pulsed drain current: 2055A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | onsemi | MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 100 V, 1.53 mohm, 312 A | на замовлення 3241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 161W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.5mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 312A Pulsed drain current: 2055A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 312A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 322W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V | на замовлення 18365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 312A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 322W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D5N10MCTXG | ON Semiconductor | Power MOSFET, Single, N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 29A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V | на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 83W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC On-state resistance: 1.7mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 203A Pulsed drain current: 1173A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | onsemi | MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.7 mohm?, 203 A | на замовлення 3293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 83W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC On-state resistance: 1.7mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 203A Pulsed drain current: 1173A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N08H | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N10MCTXG | onsemi | Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N10MCTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 147W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC On-state resistance: 1.8mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 272A Pulsed drain current: 2137A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N10MCTXG | onsemi | MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 100V, TOLL Package | на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N10MCTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 147W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC On-state resistance: 1.8mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 272A Pulsed drain current: 2137A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS1D7N10MCTXG | onsemi | Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V | на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 316W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 316W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2255A On-state resistance: 4.4mΩ Drain current: 187A Drain-source voltage: 150V Gate charge: 90.4nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | onsemi | MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 150 V, 4.4 mohm?, 187A | на замовлення 6722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 316W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2255A On-state resistance: 4.4mΩ Drain current: 187A Drain-source voltage: 150V Gate charge: 90.4nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBM11R0U01110T | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NETBridge 1x1 RA DIP 100Mbit/s Code A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBM11R1U01110T | Amphenol Commercial Products | Modular Connectors / Ethernet Connectors NETBridge 1x1 RA DIP 1Gbit/s Code A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBM12R0U01110T | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NETBridge 1x2 RA DIP 100Mbit/s Code A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBM13R0U01110T | Amphenol | NET Bridge Input Output Connectors Right angle 1X3 DIP 100Mps NONE-ESD CODE1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTBM13R0U01110T | Amphenol Commercial Products | Automotive Connectors NETBridge 1x3 RA DIP 100Mbit/s Code A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |