Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTJD1155LT1G
NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G ON Semiconductor

ntjd1155ld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 260mOhm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.78 грн
6000+8.85 грн
9000+8.77 грн
12000+8.43 грн
27000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD1155LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NTJD1155LT1G за ціною від 7.06 грн до 30.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI NTJD1155L.PDF Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.94 грн
18+23.60 грн
20+21.17 грн
50+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G onsemi ntjd1155l-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.50 грн
17+18.00 грн
100+11.35 грн
500+7.94 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G onsemi ntjd1155l-d.pdf MOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI 1789505.pdf Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI 1789505.pdf Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G onsemi ntjd1155l-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ON-Semiconductor ntjd1155l-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G  ON 09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155L.PDF
NTJD1155LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.94 грн
18+23.60 грн
20+21.17 грн
50+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.50 грн
17+18.00 грн
100+11.35 грн
500+7.94 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G 1789505.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G 1789505.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G 
Виробник: ON
09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.