Продукція > ONSEMI > NTJD1155LT1G
NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G onsemi

ntjd1155l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.92 грн
6000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD1155LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTJD1155LT1G за ціною від 4.97 грн до 37.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ON Semiconductor ntjd1155ld.pdf Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 260mOhm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.83 грн
6000+8.89 грн
9000+8.81 грн
12000+8.47 грн
27000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI ntjd1155l-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.40 грн
500+10.25 грн
1500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI NTJD1155L.PDF Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
18+23.43 грн
20+21.02 грн
50+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G onsemi ntjd1155l-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 87623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+17.35 грн
100+10.93 грн
500+7.64 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI ntjd1155l-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.38 грн
50+19.65 грн
100+12.40 грн
500+10.25 грн
1500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G onsemi ntjd1155l-d.pdf MOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
13+24.45 грн
100+13.39 грн
500+9.04 грн
1000+7.87 грн
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ON-Semiconductor ntjd1155l-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G  ON 09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155ld.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 260mOhm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.83 грн
6000+8.89 грн
9000+8.81 грн
12000+8.47 грн
27000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.40 грн
500+10.25 грн
1500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155L.PDF
NTJD1155LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+27.74 грн
18+23.43 грн
20+21.02 грн
50+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 87623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+28.74 грн
18+17.35 грн
100+10.93 грн
500+7.64 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+32.38 грн
50+19.65 грн
100+12.40 грн
500+10.25 грн
1500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
NTJD1155LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.37 грн
13+24.45 грн
100+13.39 грн
500+9.04 грн
1000+7.87 грн
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ntjd1155l-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G 
Виробник: ON
09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.