Продукція > ONSEMI > NTJD1155LT1G
NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G onsemi

ntjd1155l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.33 грн
6000+9.80 грн
9000+9.76 грн
15000+9.12 грн
21000+8.84 грн
30000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD1155LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTJD1155LT1G за ціною від 9.32 грн до 52.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd1155l-d.pdf Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd1155l-d.pdf Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd1155l-d.pdf Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.52 грн
6000+13.86 грн
9000+13.48 грн
12000+12.73 грн
27000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : ONSEMI 1789505.pdf Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.80 грн
500+12.08 грн
1500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : ONSEMI ntjd1155l-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.19 грн
38+21.98 грн
100+17.21 грн
500+13.61 грн
1000+10.94 грн
5000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : onsemi ntjd1155l-d.pdf MOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 115536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.54 грн
13+27.43 грн
100+18.35 грн
500+14.75 грн
1000+13.14 грн
3000+10.20 грн
9000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A243218288745&compId=NTJD1155L.PDF?ci_sign=6c19d42204cb111b22583f0318a94bc8c98871a3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.05 грн
17+23.78 грн
50+19.57 грн
65+13.99 грн
178+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A243218288745&compId=NTJD1155L.PDF?ci_sign=6c19d42204cb111b22583f0318a94bc8c98871a3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.46 грн
10+29.63 грн
50+23.49 грн
65+16.79 грн
178+15.87 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : onsemi ntjd1155l-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 46931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+31.27 грн
100+20.13 грн
500+14.39 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G Виробник : ON-Semicoductor ntjd1155l-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G  Виробник : ON 09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd1155l-d.pdf Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.